公开(公告)号：CN102339948A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010228039.0

申请日：2010-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明 ,  杨玲明 ,  王艳良

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/101 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域、并仅暴露下电极的中部区域；以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层；以及上电极。该电阻型存储器一致性和可靠性高，单元尺寸小、有利于提高存储特性。以该电阻型存储器形成的电阻型存储器阵列，多个电阻型存储器之间的一致性高。