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公开(公告)号：CN110364503A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910674596.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/04 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN110164826A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910504161.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括基板、设置在基板上的芯片。其中，基板具有相对的第一面及第二面，芯片设置在基板的第一面上。为减小将芯片设置在基板上时基板的变形程度，在基板的第二面设置有槽体，在槽体内填充有填充物，且基板的热膨胀芯片小于填充物的热膨胀系数。在上述的方案中，通过在基板第二面的槽体内填充热膨胀系数较大的填充物，在将芯片设置在基板上时，使基板的翘曲程度降低，从而使基板与散热器之间能够良好的导热连接，提高散热效果。
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公开(公告)号：CN109728083A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811464344.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备，该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层，并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层，电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外，还新增了沟槽底部侧壁的沟道电流，沟道底部中间的PNP结构的电流，因此，在相同的面积下，本发明中的沟槽的通电能力更强。
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公开(公告)号：CN109192775A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811223772.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种IGBT及其生长方法，该IGBT包括：IGBT本体和P型层；其中，所述P型层，位于所述IGBT本体的栅极底部；所述P型层与所述IGBT本体的N型层形成反向PN结分担承受电压。本发明的方案，可以解决槽栅结构IGBT在承受高电压时在Trench底部的拐角处有电场集中容易发生电场击穿的问题，达到不容易发生电场击穿的效果。
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公开(公告)号：CN107706237A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711046452.3
申请日：2017-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 史波
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/42312 , H01L29/66348 , H01L29/7393
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备，以改善绝缘栅双极型晶体管器件的综合性能，提高其的适用性。绝缘栅双极型晶体管器件包括栅极结构，所述栅极结构包括多个平面栅单元和多个沟槽栅单元，其中：所述多个平面栅单元位于同一层面，所述多个沟槽栅单元位于所述多个平面栅单元的一侧，且与所述多个平面栅单元所在的层面相交，每个所述平面栅单元与至少两个相邻的所述沟槽栅单元连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107482050A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710713690.9
申请日：2017-08-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施方式涉及一种功率器件终端结构及其制造方法，所述功率器件终端结构包括：衬底、设置于所述衬底上的外延层、结终端扩展区。结终端扩展区位于所述外延层中，衬底和外延层具有第一传导类型的半导体材料，结终端扩展区具有第二传导类型的半导体材料。本发明实施例通过将终端结构的结终端扩展区的第一表面和第二表面均设置成阶梯状，且阶梯均从靠近主结的一端到远离主结的一端呈下降趋势，使第一表面和第二表面间的距离，从靠近主结的一端到远离主结的一端呈递减趋势。从而可以实现从主结到终端结构的电荷量浓度变化，呈梯度逐渐均匀递减，可以有效地缓解电场集中现象，提高功率器件的反向阻断能力。
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公开(公告)号：CN214254418U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202120543992.8
申请日：2021-03-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种功率模块及电子设备，该功率模块，包括基板；设置在所述基板同侧的绝缘栅双极型晶体管芯片和快速恢复二极管芯片；形成在所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片远离所述基板一侧的封装层；形成在所述封装层远离所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片一侧的环氧树脂层，所述封装层的材料的热膨胀系数小于所述环氧树脂层的热膨胀系数；所述绝缘栅双极型晶体管芯片的栅极部分伸出所述封装层；位于所述环氧树脂层内的驱动芯片，所述驱动芯片与所述栅极伸出所述封装层的部分连接。用于提高功率模块的性能。
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公开(公告)号：CN213721925U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202020642572.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: A61B5/0205 , A61B5/01
Abstract: 本实用新型涉及智能穿戴的技术领域，具体涉及一种监测组件及包含其的智能设备。监测组件包括基板和形成在基板同一侧的第一腔室、第二腔室和第三腔室，第一腔室与基板相对的一端为覆盖有保护玻璃的开口，第二腔室与基板相对的一端为覆盖有第一滤光片的开口，第三腔室与基板相对的一端为覆盖有第二滤光片的开口，第一腔室内设置有第一芯片，第二腔室内设置有第二芯片，第三腔室内设置有体温检测芯片。本方案采用在智能设备中的原有监测组件内集成体温检测芯片的方式，可以使得智能设备具有温度检测功能，从而满足人们随时使用的需求，并且体温检测组件没有占用智能设备的内部空间，无需在智能设备表面开孔，从而提高智能设备内部空间的利用率。
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公开(公告)号：CN212033002U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020379927.1
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉。本实用新型还提供了一种具有上述导热焊盘的QFN封装结构，本实用新型的QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构，在焊盘部设置有凹槽，该凹槽能够为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，降低散热焊盘的焊点空洞问题。
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公开(公告)号：CN211428144U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020185049.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种封装体散热结构及功率半导体器件，封装体散热结构包括：封装体，散热片，以及设置在封装体与散热片之间的DBC基板，DBC基板能够在封装体与散热片之间实现绝缘，并能够使封装体的热量传递到散热片上；DBC基板的顶部金属层电连接有集电极引脚，DBC基板的顶部金属层与集电极引脚一体成型，DBC基板的陶瓷层上设置有栅极引脚和发射极引脚。通过在封装体与散热片之间设置DBC基板，由于DBC基板中间陶瓷层的绝缘性能，不需要封装体与散热片之间添加绝缘材料，保证了封装体与散热片之间良好的绝缘，同时又不影响封装体的散热性能。采用上述封装体散热结构的功率半导体器件节能，高效，且具有良好的系统可靠性。
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