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公开(公告)号：CN110589754B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910861740.7
申请日：2019-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于压力测量技术领域，具体为一种柔性水下压力传感器及其制备方法。本发明的压力传感器包括从下而上紧密贴合的下层柔性基底、力敏结构层和上层柔性封装层；下层柔性基底为聚酰亚胺薄膜，其下表面设有圆柱状空腔，空腔的腔壁上设置用以与外部水环境连通的微流道；力敏结构层从下至上包括下部电极层、柔性压电材料层和上部电极层，柔性压电材料层是具有压电特性的聚偏氟乙烯材料；上层柔性封装层是具有防水性的聚对二甲苯材料。本发明工艺简单、易于阵列化制造；制得的传感器具有柔性好、超薄超轻、可测量水下动态压力信号等优点。
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公开(公告)号：CN109742012B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201811530397.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法。该方法的具体步骤如下：步骤1，退火前，对微波退火腔预先通入惰性气体，使得腔内为纯净的惰性气氛；步骤2，继续通入惰性气体作为退火气氛，将硅超晶格薄膜放入微波退火腔的中间位置，设定退火功率和退火过程中的最高温度，并设定相应时长的退火时间，开始微波退火；其中：退火过程中的最高温度为300~500℃；步骤3，微波退火结束后，待腔内温度自然冷却，得到改性优化的硅超晶格薄膜。本发明方法可靠性高，可重复性强，其用于制备改性优化的硅超晶格薄膜成品率高，为硅超晶格薄膜的低温退火提供了一种具有指导意义的方法。
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公开(公告)号：CN115714134A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211255562.1
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN115579292A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211427963.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅晶体管的内侧墙的制作方法，包括：形成环栅晶体管结构，环栅晶体管结构包括衬底以及形成于衬底上沿第一方向排列的的若干鳍结构以及若干假栅堆叠件；若干假栅堆叠件横跨每个鳍结构，且沿第二方向排列；鳍结构包括：间隔堆叠的牺牲层与沟道层；刻蚀假栅堆叠件之间的鳍结构，以形成源漏空腔；刻蚀牺牲层的沿第一方向的两端，以形成内侧墙空腔；在内侧墙空腔中沉积氧化硅和氮化硅；刻蚀掉内侧墙空腔外的氧化硅和氮化硅，以在内侧墙空腔中形成内侧墙，其中，内侧墙的组成成分是氮氧硅。解决了环栅晶体管的内侧墙的材料介电常数较大，不利于减少寄生电容的问题，以及内侧墙的刻蚀工艺与其他工艺兼容性差的问题。
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公开(公告)号：CN113380881B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110591322.8
申请日：2021-05-28
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/792 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器，包括源电极、漏电极、以及从下而上依次堆叠设置的栅极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层和有源沟道层，所述源电极和所述漏电极分别设置于所述有源沟道层的两侧且包覆部分所述有源沟道层；所述电荷俘获层包括若干N型氧化物半导体薄膜和若干P型氧化物半导体薄膜，所述N型氧化物半导体薄膜和所述P型氧化物半导体薄膜交替堆叠设置，使得不仅能同时实现电编程与擦除操作，以及具有良好的数据保持特性，而且有利于降低所述非易失性存储器的操作电压，提高电编程与擦除效率。本发明还提供了所述非易失性存储器的制备方法。
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公开(公告)号：CN113035810B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110241338.6
申请日：2021-03-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅通孔结构，包括硅衬底间隔设有若干通孔；隔离介质，设于硅衬底的上表面、硅衬底的下表面和若干通孔的内侧面；扩散阻挡层，位于若干通孔内，扩散阻挡层设于所述隔离介质；第一籽晶层，设于所述扩散阻挡层；导电层，设于所述第一籽晶层；所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层依次层叠将若干所述通孔填充，相邻的若干所述通孔之间开设有上下贯通的中空部，由于若干个硅通孔结构是相互并联连接的，所以当一个硅通孔结构出现损坏时，仍然可实现电连接，从而增加了硅通孔结构的可靠性，更优的，相邻的通孔之间开设有上下贯通的中空部，有利于硅通孔结构的散热。另外，本发明还提供了封装结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115275021A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210903921.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种离子门控的柔性有机突触晶体管及其制备方法。该离子门控的柔性有机突触晶体管包括：柔性衬底；介质层，形成在柔性衬底上；C8‑BTBT有机半导体层，形成在介质层上；源电极和漏电极，形成在C8‑BTBT有机半导体层的两侧；共面横向栅电极，与C8‑BTBT有机半导体层保持间隔，形成在介质层上；栅极电介质，其为PEO和LiClO4的聚合物电解质，涂覆在器件的沟道和栅电极区域上，器件的突触后电流通过电调制和光调制两种方式进行调节，通过电调制调节聚合物电解质中的离子运动，改变C8‑BTBT有机半导体层通道电导，从而实现突触功能，光调制下通过调整C8‑BTBT有机半导体层通道的光生载流子数量实现突触权重的改变。
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公开(公告)号：CN115275017A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210902941.9
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机存储器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底；阻挡层，其为有机聚合物介质，形成在ITO导电层上；CsPbBr3量子点俘获层，形成在所述阻挡层上；隧穿层，形成在所述量子点俘获层上；有机半导体层，其为对紫外光敏感的有机半导体材料，形成在所述隧穿层上；顶电极，形成在所述有机半导体层上，通过调控施加的紫外光的参数，调控有机半导体层的光生载流子的数量，从而实现对突触后电流的调制，模拟各种突触行为。
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公开(公告)号：CN115275006A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210918681.4
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法。该基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管，包括：衬底；界面层，形成在所述衬底上；多层HZO铁电层，形成在所述界面层上，且在相邻HZO铁电层间形成有ZrO2插层；栅极，形成在所述HZO铁电层上；源极和漏极形成在所述衬底中所述栅极两侧；通过调整所述各层HZO铁电层的厚度，控制铁电畴尺寸，使之具有不同的矫顽场，当施加不同电压时使特定HZO铁电层完全极化，获得具有稳定的中间极化状态的多比特铁电场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN115266844A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210896284.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种低维感存算一体化器件及其制备方法。该低维感存算一体化器件包括：衬底，其为具有氧化层的高掺杂硅片；存储功能层，其为金属纳米晶颗粒，形成在所述衬底上；过渡层，形成在所述存储功能层上；气体探测层，其为经金属纳米晶颗粒修饰的二维半导体层，以提高对二氧化氮气体的探测灵敏度，形成在所述过渡层上；源电极和漏电极，形成在所述气体探测层两侧，在同一器件单元实现对二氧化氮气体的探测、识别与记录。
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