-
公开(公告)号：CN116314315A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211021.7
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层；肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括形成于所述GaN层内的p+掺杂区和形成于所述p+掺杂区内的n+掺杂区，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述GaN层上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。
-
公开(公告)号：CN115548094A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211255239.4
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管，该晶体管包括：衬底，以及沿远离所述衬底方向形成于所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN层；其中，所述p‑GaN层包括第一p‑GaN层以及第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于栅极区域；所述第二p‑GaN层形成于非栅极区域；源极、漏极以及栅极，所述源极、所述栅极以及所述漏极分别形成于所述p‑GaN层上的源区、所述栅极区域以及漏区；所述栅极包括所述第一p‑GaN层以及形成于所述第一p‑GaN层顶端的栅金属层；以及钝化层，其中，所述第一p‑GaN层包括钝化了的Mg离子；以使得所述栅极在零栅压时不导通。该技术方案解决了如何避免第一p‑GaN层的刻蚀损伤的问题。
-
公开(公告)号：CN115547830A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211255255.3
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓集成电路的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成沟道层和势垒层；在势垒层表面沉积硬掩模；刻蚀硬掩模以在硬掩模上形成开孔；在开孔内外延p‑GaN层；在势垒层表面分别沉积金属材料并退火以形成源极和漏极；形成p‑GaN栅极；在p‑GaN栅极的顶端沉积钝化层；形成源极金属互连层与金属场板；源极金属互连层形成于源极的顶端，金属场板形成于p‑GaN栅极的顶端的钝化层的表面；金属场板与源极金属互连层连接；形成漏极金属互连层与栅极金属互连层。本发明提供的技术方案，通过选取外延p‑GaN的方法，有效避免了p‑GaN层的刻蚀工艺导致器件损伤的问题，实现了提升器件输出电流、降低动态导通电阻及提高功率管及栅驱动单元的可靠性的效果。
-
公开(公告)号：CN107292870B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710424243.1
申请日：2017-06-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于计算机故障检测技术领域，具体为一种基于图像对齐与检测网络模型的轨道塞钉故障检测方法与系统。本发明中，由铁轨巡检车记录正常的塞钉图像作为基准图像；工作人员在例行的铁轨巡检过程中，利用巡检车拍摄最新的铁轨状况，得到铁轨状况图像作为待检测图像，对当前待检测图像和基准图像进行对比分析处理，检测出铁轨中问题塞钉部件位置，从而进行及时更换问题塞钉，确保铁轨运行的安全；具体步骤包括：基于深度网络模型与显著区域的高铁轨道图像精确对齐，基于深度网络模型与环境变化补偿的轨道塞钉的故障检测。本发明基于深度网络模型进行图像对齐与环境变化补偿，具有更精确的识别性能与可靠性。
-
公开(公告)号：CN111714261A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010735867.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 上海火点医疗器械有限公司 , 复旦大学附属肿瘤医院
Abstract: 本发明公开了一种管腔吻合支撑扩张器，包括：支撑主体，所述支撑主体由弹性材料或形状记忆材料制成，用于至少部分地置于管腔中以扩张管壁；连接杆，所述连接杆连接于所述支撑主体。在进行吻合手术时，医生可以用器械夹持支撑主体，并将支撑主体放置于管腔中，当器械松开后，弹性材料或形状记忆材料制成的支撑主体可以回弹并适度撑起管腔。因此，该管腔吻合支撑扩张器可快速扩张管腔，辅助手术操作，减少管壁损伤，提高管腔吻合效率与成功率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107292870A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710424243.1
申请日：2017-06-07
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G06T7/001 , G06T7/11 , G06T7/136 , G06T2207/10004 , G06T2207/30108
Abstract: 本发明属于计算机故障检测技术领域，具体为一种基于图像对齐与检测网络模型的轨道塞钉故障检测方法与系统。本发明中，由铁轨巡检车记录正常的塞钉图像作为基准图像；工作人员在例行的铁轨巡检过程中，利用巡检车拍摄最新的铁轨状况，得到铁轨状况图像作为待检测图像，对当前待检测图像和基准图像进行对比分析处理，检测出铁轨中问题塞钉部件位置，从而进行及时更换问题塞钉，确保铁轨运行的安全；具体步骤包括：基于深度网络模型与显著区域的高铁轨道图像精确对齐，基于深度网络模型与环境变化补偿的轨道塞钉的故障检测。本发明基于深度网络模型进行图像对齐与环境变化补偿，具有更精确的识别性能与可靠性。
-
公开(公告)号：CN102688283B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210197227.0
申请日：2012-06-15
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: A61K36/486 , A61K9/48 , A61P37/02
Abstract: 本发明公开了一种治疗红斑狼疮的中药胶囊及其制备方法，所述的治疗红斑狼疮的中药胶囊，其特征在于，其原料包含去皮根的雷公藤15～45重量份、鸡血藤15～45重量份和红藤15～45重量份。本发明还提供了上述治疗红斑狼疮的中药胶囊的制备方法。本发明能够有效地提取出三种原料药的有效成分，所制得的胶囊比原三藤合剂具有更好的药效；可以有效地控制质量，服用和携带方便，储存时间更长。
-
公开(公告)号：CN116613061A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310440155.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种栅介质层的制作方法，栅介质层形成于MIS‑HEMT器件中，包括：提供一MIS‑HEMT器件结构；MIS‑HEMT器件结构的表面包括一栅介质区域；提供第一前驱体与第二前驱体，并在栅介质区域吸附第一前驱体与第二前驱体，以形成第一栅介质层；利用氧气等离子体轰击第一栅介质层，以形成第二栅介质层；第二栅介质层表征了去除第一栅介质层中的第一杂质之后的栅介质层；第一杂质表征了形成第一栅介质层的表面缺陷的杂质；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第一厚度的第二栅介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的第二栅介质层均形成于前一次生长的第一栅介质层的表面；N为大于等于1的正整数。以解决如何减小AlGaN/GaNHEMTs中栅介质层的界面陷阱的问题。
-
公开(公告)号：CN116504617A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310440157.5
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击介质层的表面，以破坏介质层中的第一化学键；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第二厚度的介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的介质层均形成于前一次生长的介质层的表面；N为大于等于1的正整数。该技术方案解决了如何实现介质薄膜的低缺陷生长的问题，缓解了GaNHEMT器件电流崩塌现象，一定程度上避免了动态功耗增加，使得器件的输出电流减小、输出功率密度降低等问题，提高了器件的动态性能。
-
公开(公告)号：CN116314319A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310219230.6
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.026 seconds)
