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公开(公告)号：CN111627415A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010350303.1
申请日：2020-04-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G10K11/178
Abstract: 本发明请求保护一种基于自适应MFxLMS算法的主动降噪装置及FPGA实现，其包括动量MFxLMS算法软件部分和FPGA硬件部分，其中，动量MFxLMS算法软件部分包括噪声信号滤波模块、MFxLMS算法模块、次级通道建模模块、白噪声产生器及主通道路径模块；FPGA硬件部分包括WM8731音频编解码器、IIC控制模块、寄存器配置模块、时钟发生模块、2个音频接收模块、音频发送模块、2个FIFO模块以及ANC算法模块，本发明的主动噪声控制算法不仅能降低计算复杂度、建模准确度、稳态性能以及收敛速度，而且利用FPGA的并行处理能力使得算法有更快的运行速度。
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公开(公告)号：CN107731817B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201711057020.2
申请日：2017-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/165 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1‑yGey层、Si1‑xGex层、第二驰豫Si1‑yGey层、应变Si1‑rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0
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公开(公告)号：CN109945899A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910219754.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明请求保护一种应用于输出缓冲器工艺角补偿的探测编码电路，包括工艺角探测电路、编码电路、逻辑控制电路。其中，工艺角探测电路由两个非门和四个相同尺寸的MOS管PM1—PM4、NM1—NM4构成，根据控制信号RST的变化输出工艺角电压曲线。编码电路包括4个相同比较器和触发器，将工艺角探测电路的输出信号与偏置电压作比较实现编码，本发明采用二极管连接的PMOS管产生偏置电压，通过输入信号Vpulse实现VP1/VP2、VN1/VN2的锁存。逻辑电路由6个与门和3个非门构成，通过逻辑组合锁存信号、DOUT和VDD产生两组3位的工艺角控制信号。通过减小输出信号各补偿类型下的Slew rate的差值达到工艺角补偿的目的。
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公开(公告)号：CN108054203A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711409355.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。
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公开(公告)号：CN107887430A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711098314.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0821 , H01L29/66242
Abstract: 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1-yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731817A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711057020.2
申请日：2017-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/165 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0
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公开(公告)号：CN119210412A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411182273.2
申请日：2024-08-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高速低失调的动态比较器电路，包括偏置电路、前置预放大电路、动态锁存电路及输出缓冲电路。本发明利用三级前置预放大电路放大输入差分信号，提高比较器分辨率，利用电容储存失调消除技术降低失调电压对电路造成的影响，利用过驱动恢复开关在第一级预放大电路中消除与信号有关的失调电压同时提高比较速度，利用RS锁存器和反相器作为输出缓冲器获得轨对轨的输出，从而实现一种高速低失调的动态比较器电路。
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公开(公告)号：CN117792392A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311686948.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种用于宽松测试条件下的ADC动态参数测试方法，该方法可使ADC的动态参数测试在非高精度设备下进行。该方法包括：削波序列识别与重构、数据预处理、ADC参数还原三部分。削波序列识别与重构包括：采集ADC输出削波序列，对序列进行分段，计算每段非相干削波序列的频率，然后基于最小二乘法获取原本ADC输入信号的关键参数以重新构建理想削波信号，得到残差序列。数据预处理部分包括：将首尾不连续的残差序列转变为首尾连续的相干序列，计算每段ADC输出序列的SNR、SINAD、ENOB、THD等性能参数。ADC参数还原部分：通过每段ADC输出序列的差值，估计ADC自身杂散分量，从ADC输出序列的性能参数中还原ADC器件的性能参数。
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公开(公告)号：CN117749145A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311677528.8
申请日：2023-12-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种抗PVT变化的三态比较器电路，其中包括主比较器、副比较器、主比较器时钟模块、副比较器时钟模块、异或门、与门和非门。主比较器接输入信号；副比较器的输入电压为该比较器设计精度的1/4；异或门用于判断比较器是否得到比较结果；主比较器时钟模块用于产生两个时钟信号；与门的输出信号是第三态的标志信号，若为高电平，则使主比较器时钟模块输出的时钟信号拉低，使比较器进入复位阶段。常规比较器输出有A＞B或A＜B两种状态，本发明技术方案则引入了第三种状态，即输入信号的差值小于比较器设计精度的1/4，可在抑制比较器亚稳态的同时得到更高比较精度，且该电路具有抗PVT变化的特性，适用于异步SAR模数转换器中。
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公开(公告)号：CN117097140A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310906094.8
申请日：2023-07-21
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于降压变换器的软启动及软恢复电路，主要由软启动及软恢复模块，运算放大器EA1，运算放大器EA1，比较器COMP1，比较器COMP2，比较器COMP3，RS触发器，非交叠时钟组成。其中，PMOS器件MP1～3接成电流镜结构，其电流比例为1：K1：K2，路径1对电容C1进行恒流充电，路径2为一个快速充电调节模块，路径3为箝位电路，软启动电压VSS通过运算放大器EA1与反馈电压VFB箝位。一旦检测到反馈电压VFB低于参考电压VREF1(VREF
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