公开(公告)号：CN108258032B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201810053672.7

申请日：2018-01-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  苗乃丹 ,  于明道 ,  宋琦 ,  周春宇 ,  王巍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。

公开(公告)号：CN108054203B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201711409355.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  于明道 ,  苗乃丹 ,  宋琦 ,  袁军 ,  王巍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。

公开(公告)号：CN108258032A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810053672.7

申请日：2018-01-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  苗乃丹 ,  于明道 ,  宋琦 ,  周春宇 ,  王巍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。

公开(公告)号：CN107731817B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201711057020.2

申请日：2017-10-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  苗乃丹 ,  于明道 ,  王巍 ,  袁军 ,  宋琦

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/165 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1‑yGey层、Si1‑xGex层、第二驰豫Si1‑yGey层、应变Si1‑rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0

公开(公告)号：CN108054203A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711409355.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  于明道 ,  苗乃丹 ,  宋琦 ,  袁军 ,  王巍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。

公开(公告)号：CN107887430A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711098314.X

申请日：2017-11-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  于明道 ,  苗乃丹 ,  周春宇 ,  宋琦 ,  王巍 ,  袁军

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1-yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0

公开(公告)号：CN107731817A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711057020.2

申请日：2017-10-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  苗乃丹 ,  于明道 ,  王巍 ,  袁军 ,  宋琦

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/165 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0