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公开(公告)号：CN111739939B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010642151.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
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公开(公告)号：CN112992898A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110163596.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8249 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种SiGe BiCMOS晶体管集成结构及其实现方法，属于电子技术领域。该晶体管包括[100]晶向的单晶P型Si衬底、N+BL埋层、P阱、N阱，PMOS器件源漏窗口、NMOS器件源漏窗口、双极型器件基极窗口、双极型器件集电区、PMOS器件源漏区域的SiGe材料和NMOS器件源漏区域。本发明中双极型器件部分在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性；在PMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴压应力，提高了载流子迁移率和器件频率特性；在NMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴拉应力，提升载流子迁移率和器件频率特性。
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公开(公告)号：CN111739939A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010642151.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
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公开(公告)号：CN108054203B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201711409355.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。
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公开(公告)号：CN108258032A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810053672.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118450455A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410538302.8
申请日：2024-04-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明属于无人航行器通信技术领域，涉及一种用于无人航行器的数据链平稳切换方法；包括：对所有数据链进行测试，得到通信质量较好的新链路；新建与通信质量较好的新链路的连接且保持原链路不断开，并在新链路和原链路均保持连接期间，采用数据收发同步机制和多链路通信差错合并消除机制进行数据收发，待新链路平稳后断开原链路；本发明的数据链的平稳切换方法，避免了新链路不稳定而导致的无效切换以及切换过程中通信中断而导致的数据丢失；本发明通过数据收发同步机制避免数据流错乱、丢失以及重复处理，通过多链路通信差错合并消除机制进行数据包的合并消除，省去丢失重发的等待时间，提高链路传输数据包的实时性。
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公开(公告)号：CN107731817B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201711057020.2
申请日：2017-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/165 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1‑yGey层、Si1‑xGex层、第二驰豫Si1‑yGey层、应变Si1‑rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0
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公开(公告)号：CN108054203A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711409355.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。
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公开(公告)号：CN107887430A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711098314.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0821 , H01L29/66242
Abstract: 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1-yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0
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公开(公告)号：CN107731817A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711057020.2
申请日：2017-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/165 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0
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