-
公开(公告)号：CN115632687B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202211295993.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B7/06 , H04B7/0456 , H04B17/382 , H04W72/04
Abstract: 本发明属于共生无线电网络架构与资源分配领域，具体涉及一种RIS辅助MISO共生无线电系统的资源分配方法；该方法包括：将RIS引入MISO共生无线电系统，构建RIS辅助MISO共生无线电系统；建立RIS辅助MISO共生无线电系统的能效最大化资源分配模型；采用基于丁克尔巴赫的块坐标下降法，将能效最大化资源分配转化为3个子问题；对3个子问题求解，得到资源分配方案；系统根据资源分配方案进行资源分配；本发明在保证系统总能效最大化的同时，与传统算法相比性能有明显提升。
-
公开(公告)号：CN115632687A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211295993.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B7/06 , H04B7/0456 , H04B17/382 , H04W72/04
Abstract: 本发明属于共生无线电网络架构与资源分配领域，具体涉及一种RIS辅助MISO共生无线电系统的资源分配方法；该方法包括：将RIS引入MISO共生无线电系统，构建RIS辅助MISO共生无线电系统；建立RIS辅助MISO共生无线电系统的能效最大化资源分配模型；采用基于丁克尔巴赫的块坐标下降法，将能效最大化资源分配转化为3个子问题；对3个子问题求解，得到资源分配方案；系统根据资源分配方案进行资源分配；本发明在保证系统总能效最大化的同时，与传统算法相比性能有明显提升。
-
公开(公告)号：CN107887430A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711098314.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0821 , H01L29/66242
Abstract: 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1-yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0
-
公开(公告)号：CN115939198A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310073716.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si1‑xGex基区；在Si1‑xGex基区上方淀积硅帽层；淀积N型多晶硅作为发射极；刻蚀Si并淀积SiGe材料与四氮化三硅应力层形成集电区应力区；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成电极引线。本发明能够增强载流子的迁移率、减小载流子总渡越时间，提高晶体管工作速度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108258032B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810053672.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。
-
公开(公告)号：CN111739939B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010642151.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
-
公开(公告)号：CN112992898A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110163596.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8249 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种SiGe BiCMOS晶体管集成结构及其实现方法，属于电子技术领域。该晶体管包括[100]晶向的单晶P型Si衬底、N+BL埋层、P阱、N阱，PMOS器件源漏窗口、NMOS器件源漏窗口、双极型器件基极窗口、双极型器件集电区、PMOS器件源漏区域的SiGe材料和NMOS器件源漏区域。本发明中双极型器件部分在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性；在PMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴压应力，提高了载流子迁移率和器件频率特性；在NMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴拉应力，提升载流子迁移率和器件频率特性。
-
公开(公告)号：CN111739939A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010642151.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
-
公开(公告)号：CN108258032A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810053672.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.019 seconds)
