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公开(公告)号：CN116789186A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310088408.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01G53/00
Abstract: 本发明涉及高熵陶瓷材料制备技术领域，具体为一种均匀(ZrTiCoNiNb)O高熵氧化物粉体及其制备方法和应用。(ZrTiCoNiNb)O高熵氧化物粉体按照如下步骤制备：将ZrO2、TiO2、CoO、NiO、Nb2O5球磨混合均匀，获得原料混合粉体；将原料混合粉体装填至坩埚中，引入温场调节机制，进行微波处理，即得(ZrTiCoNiNb)O高熵氧化物陶瓷粉体材料。本发明基于微波加热的特点，在微波加热保温结构中引入SiC棒调节样品温场，从而利用微波加热得到均匀稳定的高熵氧化物陶瓷粉体，烧结过程短时快速，环保且高效，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112209725B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202011103898.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/622 , C04B35/584
Abstract: 本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，还涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。本发明的前处理方法有效避免了氮化硅陶瓷在空气气氛烧结中的氧化，也可有效减少氮化硅埋粉的氧化，实现了氮化硅陶瓷在空气气氛中的烧结；并且所用氮化硅埋粉和二氧化硅粉容易分离，且可反复多次复用，可大幅降低埋粉消耗，减少成本。
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公开(公告)号：CN110745827B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810821990.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/963
Abstract: 本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法，属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，包括以下步骤：1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理，得到前驱体凝胶；所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到；2)将所得的前驱体凝胶进行干燥，得到复合粉体；3)将所得的复合粉体进行反应烧成，即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，以膨胀碳材料作为碳源，分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面，也呈片状分布，经过烧成反应后，即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料，具有比表面积更大、更易分散的优点，并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。
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公开(公告)号：CN113582696A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111007346.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于高熵陶瓷材料技术领域，公开了一种(ZrTiCoNb)C高熵碳化物陶瓷材料及其制备方法，所述制备方法包括：将锆源、钛源、钴源、铌源以及碳源通过机械研磨混合均匀，获得混合粉体；随后将获得的混合粉体预压制坯后，于1200～2000℃微波烧结1～2h，即得高熵碳化物陶瓷材料。本发明方法合成成本低且合成效率高，且通过本发明方法制得的高熵碳化物陶瓷材料，具有较低的氧含量以及较细的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN111762785A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010250363.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/977 , C01B32/97 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法，属于碳化硅制备技术领域。本发明的双频微波制备颗粒状碳化硅的方法，包括以下步骤：(1)碳和正硅酸乙酯经溶胶-凝胶法得到二氧化硅包裹碳的前驱体，前驱体经压制形成坯体；(2)将坯体包埋在石英砂中，利用双频微波同时进行微波烧结，得到颗粒状碳化硅；所述双频微波的两个频率分别为2450MHz和915MHz。该方法利用碳优良的吸波性能，采用双频微波的方式，不仅能够提高加热效率，更容易控制碳化硅生长的形貌，实现了SiC晶体的快速合成，得到结晶良好的碳化硅颗粒，提高了制备效率；且双频微波制得的碳化硅的晶体结晶度好，缺陷少，晶体产量高，颗粒大小均匀，质量更均一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116789136A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310054850.9
申请日：2023-02-03
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/97
Abstract: 本发明属于SiC材料技术领域，具体涉及一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法。制备方法包括以下步骤：以碳源和硅源为制备原料，球磨制成前驱体；将前驱体预压制成胚体，胚体埋入石英砂中，于850～950℃下微波烧结得到碳化硅。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法，微波烧结烧结时间短，同时在封闭的腔体内烧结，使得反应产生的气体无法排除，进一步加剧了升温现象，反应生成的碳化硅沉积在前驱体所在的区域，新形成的碳化硅颗粒吸收微波形成新的热源，使反应更加充分，提高了合成效率，可以应用于工业化大规模生产，有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113718370B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111073327.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种中空碳化硅纤维的制备方法。通过调节碳源、硅源及磁性金属催化剂的配比，控制微波烧结的条件，可得到多种不同形貌的中空碳化硅纤维。发明采用微波烧结的方式，在磁性催化剂的作用下，制得具有中空结构的SiC纤维；于本申请中，采用微波烧结的方式，实现材料整体性加热、内外受热均匀、烧结效率高、速率快、缩短制备时间、提高能源利用效率，且制得了孔径尺寸分布均匀、纯度高且长径比大的中空碳化硅纤维。
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公开(公告)号：CN115582547A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN115231572A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210854756.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/921 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，具体涉及一种纳米碳化钛粉体的制备方法。本发明以钛酸四丁酯及碳源为原料制得混合粉体，再通过埋覆微波透过材料以隔绝空气，并在烧结过程中通过SiO2的熔融形成壳结构，保护合成的碳化钛粉体在高温下不被氧化；采用微波烧结的方式制备出高纯的纳米碳化钛粉体，且实现了降低烧结温度、缩短制备时间、制备粒径小且粒径分布均匀的TiC粉体目的。
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公开(公告)号：CN115092940A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780727.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于水泥基建材料技术领域，公开一种硅酸三钙粉体的制备方法，包括以下步骤：以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料，经混合处理，获得组分均匀的混合粉体；将获得的混合粉体预压制坯，获得坯料；将获得的坯料于1200～1500℃的温度下烧结处理0.5～1.5h，即获得硅酸三钙；所述烧结处理采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结。本发明采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结制备硅酸三钙，利用微波和微波耦合外热源的共同作用可实现坯体内外的快速烧结，混合加热机制在低温下使样品更容易加热，而在高温下可保证样品稳定加热，有效的降低了硅酸三钙的合成时间与合成温度，提高了合成纯度与效率。
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