一种SiC粉体及无预成型微波加热制备SiC粉体的方法

    公开(公告)号:CN117208909A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311366057.9

    申请日:2023-10-20

    Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域,具体涉及一种SiC粉体及无预成型微波加热制备SiC粉体的方法。本发明通过采用溶胶凝胶法或湿法球磨法制备前驱体粉体,再对前驱体粉体采用无预压成型和无气氛保护处理,强化微波加热过程中的微波热效应及非热效应对其的作用效果,促进了微波加热过程中的C@SiO2界面反应,能够在短时间内合成具有高纯度和拥有大量定向排列规则纤维的SiC粉体。本发明原料制备步骤简单,操作方法明了,制备时间短、无污染;创新性地采用无预压成型和无气氛保护处理前驱体粉体的方式微波加热制备SiC粉体,节约制备成本,为规模化微波加热制备SiC粉体提供新的途径和思路。

    一种超大尺寸SiC晶须及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119980471A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510194032.8

    申请日:2025-02-21

    Abstract: 本发明提供了一种超大尺寸SiC晶须及其制备方法和应用,属于无机非金属材料技术领域。本发明以碳源和硅源为原料,采用溶胶凝胶法制备由硅源均匀包覆碳源的硅包覆碳粉体,无需预成型工艺,将硅包覆碳粉体直接倒入坩埚中加热,通过控制微波输入功率的速率,以强化微波加热过程中产生的微波耦合热效应对合成SiC晶须的生长诱导作用,该方法能够在短时间内合成具有超大尺寸的SiC晶须形貌的高纯度SiC粉体,为特定环境用微型电子器件等提供新的发展途径和解决思路。

Patent Agency Ranking