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公开(公告)号:CN109473369A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201811271308.4
申请日:2018-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法,通过将易于实现的扩散操作融入含有待监控衬底片的MOS结构之中,使测试区域O1和区域O2带有不同的掺杂分布,进一步测试MOS结构区域O2的准静态C-V特性和高频C-V特性,区域O1的准静态C-V特性和高频C-V特性并对所测数据进行数据分析计算出MOS结构区域O1和区域O2的平带电压值,得到该衬底片区域O2和区域O1的平带电压差值ΔVoFB,将ΔVoFB代入平带电压差值和离子注入剂量的函数关系便可快速计算出对应的等效离子注入剂量,该等效离子注入剂量即为本次扩散待监控衬底片实际引入的硼离子或磷离子的掺杂浓度。
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公开(公告)号:CN117896938A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410230730.4
申请日:2024-02-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于针孔连接的信号转接印制板及使用方法,属于信号转接应用领域,本信号转接印制板包括设在框架壳体顶部和底部的第一转接板与第二转接板,垂直连接在第一转接板和第二转接板之间的功率驱动板,功率驱动板沿框架壳体周向的外壁设置,使得信号转接印制板整体设计为立体结构,并采用针孔插接方式分别将第一转接板和功率驱动板以及功率驱动板和第二转接板两联相连,采用无缆连接的方式,解决了空间不足,线缆连接不可靠的问题;本信号转接印制板直接采用立体连接的方式,最大化提高空间利用率,满足系统级产品小型化、无缆化的要求,具有良好的推广应用价值。
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公开(公告)号:CN116317739A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310294211.X
申请日:2023-03-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种过载随动的自锁电动缸及方法,步进电机控制器根据直线位移传感器的信号来精确控制电动缸的运动位移,通过可控的常闭继电器实现步进电机线圈输出的短接,产生的短接制动转矩实现电动缸的自锁。当系统断电时,常闭继电器处于导通状态,通过短接制动转矩实现电动缸电自锁。当系统运行时,控制常闭继电器处于断开状态,电动缸可正常运行。电动缸运行到位后,控制常闭继电器处于导通状态,通过短接制动转矩实现负载的维持。本发明设计简单、成本低,且功耗低,节约了时间与经济成本,并可以实现在过载的情况下随动的功能,提高了电动缸系统的可靠性,具有很强的使用价值。
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公开(公告)号:CN113884745A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111258585.3
申请日:2021-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种交流信号有效值及频率转换装置,包括电压传感器、电压采集电路、频率采集电路及处理单元,电压采集电路包括均方根‑直流转换器及AD转换器,均方根‑直流转换器的输出端与AD转换器的输入端连接;由均方根‑直流转换器将输入的交流信号转化成直流信号输出,直流输出的大小等于交流或波动直流输入的均方根值,并通过AD转换器可采集,该直流信号为输入交流信号的有效值。利用电压传感器、比较器、计数器及辅助电路完成交流电频率的采集,通过配置频率采集电路中分频器的A、B、C、D、E管脚的值可实现不同频率的采集。
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公开(公告)号:CN109449095A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811271313.5
申请日:2018-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明一种监控离子注入掺杂浓度的方法,通过将离子注入操作融入MOS结构衬底片的任意一半表面,使测试区域表面两边带有不同的掺杂分布,进一步测试两边的准静态C-V特性和高频C-V特性,计算出表面两边的平带电压差值;在同一工艺条件下进行若干组不同离子注入剂量的平行试验,得到若干个平带电压差值,结合这些平带电压差值和对应的离子注入剂量数据可拟合平带电压差值和离子注入剂量的函数关系;按照同样的工艺流程对待监控衬底片一半的区域D1和另一半的区域D2进行离子注入操作得到对应的平带电压差值ΔVoFB,将ΔVoFB代入平带电压差值和离子注入剂量的函数关系可直接求出待监控衬底片本次离子注入实际引入的硼离子或磷离子的掺杂浓度。
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公开(公告)号:CN109473369B
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN201811271308.4
申请日:2018-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法,通过将易于实现的扩散操作融入含有待监控衬底片的MOS结构之中,使测试区域O1和区域O2带有不同的掺杂分布,进一步测试MOS结构区域O2的准静态C‑V特性和高频C‑V特性,区域O1的准静态C‑V特性和高频C‑V特性并对所测数据进行数据分析计算出MOS结构区域O1和区域O2的平带电压值,得到该衬底片区域O2和区域O1的平带电压差值ΔVoFB,将ΔVoFB代入平带电压差值和离子注入剂量的函数关系便可快速计算出对应的等效离子注入剂量,该等效离子注入剂量即为本次扩散待监控衬底片实际引入的硼离子或磷离子的掺杂浓度。
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