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公开(公告)号：CN101432865A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015283.5
申请日：2007-03-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种选择等离子体掺杂过程参数的方法，其包含确定一制法参数数据库以实现至少一个等离子体掺杂条件。根据所述制法参数数据库来确定初始制法参数。执行至少一个等离子体掺杂条件的原位测量。使所述至少一个等离子体掺杂条件的原位测量与至少一个等离子体掺杂结果相关。响应于所述相关而改变至少一个制法参数，以便改进至少一个等离子体掺杂过程性能量度。
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公开(公告)号：CN103109342B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号：CN102422389B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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公开(公告)号：CN102471880B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN103109342A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003914A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180023911.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/317 , G03F7/40 , H01J37/3171 , H01J37/3174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01L21/0273 , H01L21/2236 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/66787
Abstract: 一种处理光刻胶特征的方法，包括在制程腔室(302)中定位具有一组图案化光刻胶特征(114a)的衬底(112)，此图案化光刻胶特征在衬底的第一面上；在具有等离子体鞘(308b)的制程腔室中邻近于衬底的第一面产生等离子体(306)。此方法可以还包含以等离子体鞘修改器(312)修改介于等离子体(306)和等离子体鞘(308b)之间的边界的形状，使得部分边界的形状不平行于由面对等离子体的衬底(112)的前表面所定义的平面，其中来自等离子体的离子(310)于第一曝露时以广角度范围撞击到图案化光刻胶特征(114a)上。
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公开(公告)号：CN101821836B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN102422389A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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公开(公告)号：CN101641764B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200880008577.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/223 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/32706
Abstract: 一种多阶等离子体掺杂基板的方法包括点燃来自处理气体的等离子体。建立第一等离子体状态来执行第一等离子体掺杂步骤。给基板加偏压，使得具有第一等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第一剂量。第一等离子体状态过渡到第二等离子体状态。给基板加偏压，使得具有第二等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第二剂量。选定第一和第二等离子体状态使得第一和第二剂量相结合，以实现在基板的至少一部分上的预定剂量分配。
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公开(公告)号：CN101641764A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880008577.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/223 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/32706
Abstract: 一种多阶等离子体掺杂基板的方法包括点燃来自处理气体的等离子体。建立第一等离子体状态来执行第一等离子体掺杂步骤。给基板加偏压，使得具有第一等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第一剂量。第一等离子体状态过渡到第二等离子体状态。给基板加偏压，使得具有第二等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第二剂量。选定第一和第二等离子体状态使得第一和第二剂量相结合，以实现在基板的至少一部分上的预定剂量分配。
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