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公开(公告)号：CN101821836B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101978476A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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公开(公告)号：CN101821836A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101978476B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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