公开(公告)号：CN103109342B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180028561.7

申请日：2011-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 海伦·梅纳德 ,  卡莫尔·哈迪德 ,  维克拉姆·辛 ,  提摩太·J·米勒 ,  卢多维克·葛特 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  伯纳德·G·琳赛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244

Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。

公开(公告)号：CN103109342A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180028561.7

申请日：2011-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 海伦·梅纳德 ,  卡莫尔·哈迪德 ,  维克拉姆·辛 ,  提摩太·J·米勒 ,  卢多维克·葛特 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  伯纳德·G·琳赛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244

Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。