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公开(公告)号：CN1527341A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310114253.3
申请日：2003-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p+型的半导体基板(2)、以及以InAsSb形成的p－型的光吸收层(3)。在半导体基板(2)与光吸收层(3)之间，形成有具有比光吸收层(3)大的能带宽度、由AlGaSb构成的p+型的空穴区层(4)。在光吸收层(3)上，形成有由AlGaSb构成的p－型的空穴区层(5)；在空穴区层(5)上，形成有由GaSb构成的p－型的电子发射层(6)。在电子发射层(6)上，形成有由GaSb构成的n+型的接触层(7)，该接触层(7)与电子发射层(6)形成pn结。
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公开(公告)号：CN1503380A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310119906.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/102 , H01L27/14 , G01J1/02
CPC classification number: G01J1/429 , H01L2224/48465
Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5，在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭，它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1－x)N(0＜x＜1)的一光吸收层9。
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公开(公告)号：CN1181607A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97120094.7
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及具有可长时间保持其工作稳定性的结构的电子管。该电子管至少包括:场致发射体,由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成,并有其末端是氢的表面;和密封管壳,装有金刚石场致发射体。利用氢的末端,可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外,把氢密封在密封管壳内。由于这种结构,金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定,并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN102163628A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110008101.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02162
Abstract: 当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。
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公开(公告)号：CN1737977B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410096534.5
申请日：2004-11-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01J1/34 , H01J1/78 , H01J43/08 , H01J2231/50
Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中，在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63)，可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中，用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此，可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化，可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是，在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中，可以稳定地得到高灵敏度的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100558849C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580012145.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
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公开(公告)号：CN101572201A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910135940.0
申请日：2009-04-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01J31/50 , H01J1/34 , H01J40/06 , H01J2231/5001
Abstract: 本发明所涉及的光电阴极(1)具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板(11)、被设置于支撑基板(11)上并且具有比该支撑基板(11)的能带隙更小的能带隙、吸收透过支撑基板(11)的入射光而产生光电子的光吸收层(13)、被设置在光吸收层(13)上并且使光吸收层(13)的工作函数降低的表面层(15)；支撑基板(11)由Al(1－X)GaXN(0≤X＜1)形成，光吸收层(13)由选自Al、Ga以及In的至少一种成分与N构成的化合物半导体形成。
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公开(公告)号：CN100511554C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200310114253.3
申请日：2003-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p+型的半导体基板(2)、以及以InAsSb形成的p-型的光吸收层(3)。在半导体基板(2)与光吸收层(3)之间，形成有具有比光吸收层(3)大的能带宽度、由AlGaSb构成的p+型的空穴区层(4)。在光吸收层(3)上，形成有由AlGaSb构成的p-型的空穴区层(5)；在空穴区层(5)上，形成有由GaSb构成的p-型的电子发射层(6)。在电子发射层(6)上，形成有由GaSb构成的n+型的接触层(7)，该接触层(7)与电子发射层(6)形成pn结。
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公开(公告)号：CN100399585C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200310119906.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/102 , H01L27/14 , G01J1/02
CPC classification number: G01J1/429 , H01L2224/48465
Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5，在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭，它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1-x)N(0＜x＜1)的一光吸收层9。
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公开(公告)号：CN101192642A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196173.5
申请日：2007-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/30 , H01L31/03046 , H01L31/1035 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/305 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。
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