公开(公告)号：CN101101840A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710128217.0

申请日：2007-07-05

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  藤原弘康 ,  樋口彰

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08

CPC classification number: H01J43/246

Abstract: 本发明涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。当光入射到光电阴极(AA1)的天线层(AA6)上时，入射光中所含的特定波长的光与天线层(AA6)的表面等离子体进行结合，从天线层(AA6)的贯通孔(AA14)输出近场光。输出的近场光的强度，与特定波长的光的强度成比例，且大于该光的强度。另外，输出的近场光具有可被光电转换层(AA4)吸收的波长。光电转换层(AA4)接受从贯通孔(AA14)输出的近场光。光电转换层(AA4)上的贯通孔(AA14)的周边部分吸收近场光，产生相应于近场光的强度(受光量)的量的光电子(e-)。在光电转换层(AA4)上产生的光电子(e-)向光电阴极(AA1)的外部输出。

公开(公告)号：CN119654752A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380057178.7

申请日：2023-05-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 樋口彰 ,  陆昂义

IPC: H01S5/023 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/0238 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置具备：半导体激光元件，其具有多个台面部；以及辅助座，其具有配置有多个台面部的凹部。在凹部设有配线部。与各台面部对应的电极经由焊接构件与所述配线部电连接。配线部包括彼此相邻且电分离的第一配线以及第二配线。半导体激光元件的第一基准面与辅助座的第二基准面面接触。从与第一配线对应的第一台面部的第一基端部至与第二配线对应的第二台面部的第二基端部的距离比台面部的接触区域的长度长。

公开(公告)号：CN101105552A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710136065.9

申请日：2007-07-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤原弘康 ,  山西正道 ,  樋口彰 ,  中嶋和利

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/1226 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供易于制造且使表面等离子体振子波的传播距离更长的波导结构和光学元件。波导结构具有在半导体基板(10)上层叠的量子阱结构(20)。量子阱结构内的量子阱层(22)具有，与相对于半导体基板(10)的量子阱结构的排列方向大致垂直相交的假想平面相交的交叉区域(22a)，量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负。此时，交叉区域(22a)内发生电子振荡时，通常存在上述排列方向上的分量，且量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负，因此可以利用交叉区域(22a)传播表面等离子体振子波。在量子阱结构中提高载流子的浓度的同时提高载流子迁移率，因此更长距离地传播表面等离子体振子波。

公开(公告)号：CN101071077A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102287.9

申请日：2007-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  藤原弘康 ,  樋口彰

IPC: G01J3/00

CPC classification number: H01L31/02162

Abstract: 当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。

公开(公告)号：CN119631255A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057184.2

申请日：2023-05-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 樋口彰 ,  陆昂义

IPC: H01S5/023 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/0238 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置具备：半导体激光元件，其具有多个台面部；以及辅助座，其具有配置有多个台面部的凹部。与多个台面部的各个对应的电极经由焊接构件与配线部电连接。半导体激光元件的第一基准面与辅助座的第二基准面面接触。在彼此相邻的凹部之间设有具有第二基准面的分隔壁部。在从Y轴方向观察的情况下，凹部的侧面和与该侧面相对的台面部的侧面的X轴方向的距离，随着沿Z轴方向从台面部的顶面向基端部而变短。

公开(公告)号：CN101105552B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710136065.9

申请日：2007-07-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤原弘康 ,  山西正道 ,  樋口彰 ,  中嶋和利

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/1226 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供易于制造且使表面等离子体振子波的传播距离更长的波导结构和光学元件。波导结构具有在半导体基板(10)上层叠的量子阱结构(20)。量子阱结构内的量子阱层(22)具有，与相对于半导体基板(10)的量子阱结构的排列方向大致垂直相交的假想平面相交的交叉区域(22a)，量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负。此时，交叉区域(22a)内发生电子振荡时，通常存在上述排列方向上的分量，且量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负，因此可以利用交叉区域(22a)传播表面等离子体振子波。在量子阱结构中提高载流子的浓度的同时提高载流子迁移率，因此更长距离地传播表面等离子体振子波。

公开(公告)号：CN102163628A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110008101.X

申请日：2007-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  藤原弘康 ,  樋口彰

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02162

Abstract: 当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。