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公开(公告)号：CN1959895A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN1737977A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200410096534.5
申请日：2004-11-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01J1/34 , H01J1/78 , H01J43/08 , H01J2231/50
Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中，在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63)，可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中，用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此，可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化，可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是，在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中，可以稳定地得到高灵敏度的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1959895B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN101071704A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710126489.7
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1737977B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410096534.5
申请日：2004-11-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01J1/34 , H01J1/78 , H01J43/08 , H01J2231/50
Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中，在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63)，可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中，用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此，可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化，可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是，在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中，可以稳定地得到高灵敏度的特性。
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公开(公告)号：CN100347801C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200310116390.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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公开(公告)号：CN1501424A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116390.0
申请日：2003-11-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/342
Abstract: 本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成的一个表面电极形成在该接触层的表面。该接触层里的栅栏间距被调整为等于或大于0.2μm，且等于或小于2μm。
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