公开(公告)号：CN101071077A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102287.9

申请日：2007-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  藤原弘康 ,  樋口彰

IPC: G01J3/00

CPC classification number: H01L31/02162

Abstract: 当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。

公开(公告)号：CN1959895A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610142778.1

申请日：2006-10-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中嶋和利 ,  新垣实 ,  望月智子 ,  广畑彻

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J2201/3423

Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。

公开(公告)号：CN1628364A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803429.8

申请日：2003-02-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  内山昌一 ,  菅博文

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01J31/50

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/34 ,  H01J31/506 ,  H01J2201/3421

Abstract: 本发明的透射型光电阴极包括以下构成：由金刚石或以金刚石为主要成分的材料形成的光吸收层(1)、增强光吸收层(1)机械强度的支持框(21)、与光吸收层(1)的入射面相对设置的第1电极(31)、以及与光吸收层(1)的出射面相对设置的第2电极(32)。而且，在光吸收层(1)的入射面和出射面之间施加电压在光吸收层(1)内部形成有电场，一旦待检测光入射在光吸收层(1)内部有光电子产生，光电子就因光吸收层(1)内部所形成的电场而在出射面方向上得到加速，从而放射出到透射型光电阴极的外部。

公开(公告)号：CN1291435C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01820827.4

申请日：2001-12-18

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  菅博文 ,  森邦芳

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J2201/3423

Abstract: 在光吸收层2厚时，将发生时间分辨率降低的现象，如果限制光吸收层2的厚度，则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断，所以，相邻的电子浓度分布重叠的区域减少，由于缩短了电子通过所需要的移动时间，可以抑制通过扩散而相互重叠的区域，此外，由于还提高了电场强度，所以，通过它们的相互协同的作用，可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级，厚度为1.3μm时，时间分辨率为40ps，厚度为0.19μm时，时间分辨率为7.5ps。

公开(公告)号：CN1737977A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200410096534.5

申请日：2004-11-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 望月智子 ,  新垣实 ,  广畑徹 ,  森邦芳

IPC: H01J1/34

CPC classification number: H01J1/34 ,  H01J1/78 ,  H01J43/08 ,  H01J2231/50

Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中，在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63)，可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中，用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此，可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化，可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是，在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中，可以稳定地得到高灵敏度的特性。

公开(公告)号：CN1119829C

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN97118486.0

申请日：1997-09-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  广畑彻 ,  菅博文 ,  山田正美

IPC: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/50

CPC classification number: H01J40/16 ,  H01J1/34 ,  H01J43/08 ,  H01J2201/3421 ,  H01J2231/50

Abstract: 本发明涉及能用于反射型及透射型的、且能获得比单晶金刚石薄膜的量子效率高的光电阴极及装备有它的电子管。本发明的光电阴极至少备有由多晶金刚石或以多晶金刚石为主要成分的材料构成的第1层。在该光电阴极的应用例中，上述第1层的表面用氢或氧进行最终处理。在表面经过用氢或氧最终处理的多晶金刚石薄膜上还可备有由碱性金属或其化合物构成的第2层。

公开(公告)号：CN100433341C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200410048995.5

申请日：2004-06-14

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  中嶋和利

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的p型层具有一个顶表面，该顶表面包括和中区域邻接并基本在同一高度水平的第一部分，以及与第一部分在同一水平或高于第一部分的第二部分。一个电极覆盖p型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在p型层上有i型层。在i型层上的n型层具有一个顶表面和一个底表面，该n型层的顶表面包括和上区域邻接并基本在同一高度水平的第三部分。另一个电极覆盖n型层的一部分和上区域之间的边界的至少一部分。插入p型层的第二部分和n型层的底表面之间的第三半导体层具有比p型层和n型层低的载流子浓度。插入n型层和第三半导体层之间的一个第四半导体层有比第三半导体层更大的能量带隙。

公开(公告)号：CN101192491A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196170.1

申请日：2007-11-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  中嶋和利 ,  广畑彻 ,  菅博文

IPC: H01J1/34

CPC classification number: H01L31/1035 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种半导体光电阴极，包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层作为光吸收层而起作用，第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度，使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层压在第一III－V族化合物半导体层上。另外，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。

公开(公告)号：CN1639822A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804924.4

申请日：2003-02-24

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  内山昌一 ,  菅博文

IPC: H01J1/32 ,  H01J43/22 ,  H01J31/12 ,  H01J31/50

CPC classification number: H01J31/50 ,  H01J1/32 ,  H01J29/023 ,  H01J29/482 ,  H01J31/506 ,  H01J43/22

Abstract: 本发明的透射型二次电子面，包括下列构成部分，即由金刚石或以金刚石为主要成分的材料所形成的二次电子射出层(1)；加强二次电子射出层(1)的机械强度的支持框(21)；与二次电子射出层(1)的入射面相对设置的第一电极(31)；以及与二次电子射出层(1)的出射面相对设置的第二电极(32)。而且，二次电子射出层(1)的入射面和出射面两者间加上有电压，在二次电子射出层(1)内部形成有电场。一旦一次电子入射从而在二次电子射出层(1)内部有二次电子生成，二次电子便被二次电子射出层(1)内部形成的电场向出射面方向加速，射出至透射型二次电子面的外部。以此可实现一种可相对于一次电子的入射高效率地使二次电子射出的透射型二次电子面以及使用它的电子管。

公开(公告)号：CN1574376A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048995.5

申请日：2004-06-14

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 新垣实 ,  中嶋和利

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的p型层具有一个顶表面，该顶表面包括和中区域同一高度水平的一部分。一个电极覆盖p型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在p型层上的n型层具有一个包括和上区域同一高度水平的一部分的顶表面。另一个电极覆盖n型层的一部分和上区域之间的边界的至少一部分。