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公开(公告)号：CN116137890A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202180063311.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02
Abstract: 本公开提供了一种光检测模块(1)，具备光检测器(10)和固定部件(50)。光检测器(10)具有：半导体基板(11)；台面部(12)；第1接触层(13)；第2接触层(14)；以及第1电极(15)，在半导体基板(11)的主面(11a)上形成为平面状、电连接于第1接触层(13)和第2接触层(14)的一方。固定部件(50)具有：绝缘基板(51)；以及第1配线(52)，在绝缘基板(51)的主面(51a)上形成为平面状。在绝缘基板(51)的主面中形成凹部(54)，并且台面部(12)的至少一部分配置于凹部(54)内。第1电极(15)在面接触于第1配线(52)的状态下，电连接于第1配线(52)。
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公开(公告)号：CN100511554C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200310114253.3
申请日：2003-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p+型的半导体基板(2)、以及以InAsSb形成的p-型的光吸收层(3)。在半导体基板(2)与光吸收层(3)之间，形成有具有比光吸收层(3)大的能带宽度、由AlGaSb构成的p+型的空穴区层(4)。在光吸收层(3)上，形成有由AlGaSb构成的p-型的空穴区层(5)；在空穴区层(5)上，形成有由GaSb构成的p-型的电子发射层(6)。在电子发射层(6)上，形成有由GaSb构成的n+型的接触层(7)，该接触层(7)与电子发射层(6)形成pn结。
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公开(公告)号：CN103596520A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027064.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: A61C3/02
CPC classification number: A61C1/0046 , A61C1/0015 , A61C3/02
Abstract: 本发明提供一种可以更可靠地低侵袭地进行齿科治疗的齿科用治疗装置。齿科用治疗装置（10A）具备：输出具有5.7μm～6.6μm的波段的波长的激光（L）的激光光源（11）、脉冲驱动激光光源并且控制从激光光源输出的脉冲状的激光的脉冲宽度和重复频率中的至少一者的控制部（12）、以及用于将从激光光源输出的光照射到包含蛀牙部位（21）的牙齿（20）的照射光学系统（13）。在该齿科治疗装置中，控制部通过控制脉冲状的激光的脉冲宽度和重复频率中的至少一者，来选择性地对蛀牙部位（21）进行切削。
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公开(公告)号：CN113196598B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201980083301.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式所涉及的发光元件抑制光输出效率的降低并且输出清晰的光学图像。该发光元件具备基板、发光部、将基板与发光部接合的接合层。发光部具有被第一电极和第二电极夹持的半导体叠层，半导体叠层包含相位调制层。相位调制层具有基本层和多个差异折射率区域，并且包括与第二电极一致或包含整体的大小的第一区域和该第一区域以外的第二区域。位于第二区域内的各差异折射率区域的重心按照特定的排列条件配置于基准面上。从半导体叠层的表面输出的光为单一光束，关于从基板至半导体叠层的表面的第一距离和从基板至半导体叠层的背面的第二距离，沿着基板上的特定方向变动的第一距离的变动量比第二距离的变动量小。
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公开(公告)号：CN115668670A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180038606.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一个实施方式的光学器件包括能够输出可见区域这样的短波长区域的光的结构。该光学器件包括UC层、第1光限制层、第2光限制层和共振模式形成层。UC层包含接收第1波长区域的激发光并输出比第1波长区域短的第2波长区域的光的上转换材料。第1光限制层具有将第2波长区域的光的至少一部分反射的光反射特性。第2光限制层具有将第2波长区域的光的一部分反射并使剩余部分透过的光反射特性，并且以UC层位于第1及第2光限制层之间的方式配置。共振模式层设置于UC层与第1光限制层之间、或UC层与第2光限制层之间，包括基本层和多个不同折射率区域，且形成第2波长区域的光的共振模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1527341A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310114253.3
申请日：2003-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p+型的半导体基板(2)、以及以InAsSb形成的p－型的光吸收层(3)。在半导体基板(2)与光吸收层(3)之间，形成有具有比光吸收层(3)大的能带宽度、由AlGaSb构成的p+型的空穴区层(4)。在光吸收层(3)上，形成有由AlGaSb构成的p－型的空穴区层(5)；在空穴区层(5)上，形成有由GaSb构成的p－型的电子发射层(6)。在电子发射层(6)上，形成有由GaSb构成的n+型的接触层(7)，该接触层(7)与电子发射层(6)形成pn结。
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公开(公告)号：CN109462141A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811031724.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 量子级联激光光源的制造方法包括：准备半导体层叠体(20)的工序；形成一对第一挖入部(41、42)和以被该一对第一挖入部(41、42)夹持的方式形成的脊部(30)的工序；形成沟道结构(51、52)和以在与脊部(30)之间夹着沟道结构(51、52)的方式形成的周缘部(61、62)的工序；以与第一区域(29a)相接的方式形成电极图案(81)并且以与第二区域(22a)相接的方式形成电极图案(82)的工序；将结晶生长面侧固定于支承基板(91)的工序；去除Fe掺杂(半绝缘)InP单晶基板(21)的工序；固定Si基板(93)的工序；和剥离支承基板(91)的工序。
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公开(公告)号：CN103596520B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280027064.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: A61C3/02
CPC classification number: A61C1/0046 , A61C1/0015 , A61C3/02
Abstract: 本发明提供一种可以更可靠地低侵袭地进行齿科治疗的齿科用治疗装置。齿科用治疗装置（10A）具备：输出具有5.7μm～6.6μm的波段的波长的激光（L）的激光光源（11）、脉冲驱动激光光源并且控制从激光光源输出的脉冲状的激光的脉冲宽度和重复频率中的至少一者的控制部（12）、以及用于将从激光光源输出的光照射到包含蛀牙部位（21）的牙齿（20）的照射光学系统（13）。在该齿科治疗装置中，控制部通过控制脉冲状的激光的脉冲宽度和重复频率中的至少一者，来选择性地对蛀牙部位（21）进行切削。
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公开(公告)号：CN116391254A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180070248.3
申请日：2021-07-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L23/473
Abstract: 在本发明的半导体激光装置(1)中，在散热器(13)的主体部(41)内设置有：供给路(45)，其将从供给口(32)侧供给的冷却用流体(R)朝向配置区域(P)引导；喷出孔(46)，其使由供给路(45)引导的冷却用流体(R)在配置区域(P)下喷出；和排出路(48)，其将从喷出孔(46)喷出的冷却用流体(R)朝向排出口(34)引导。喷出孔(46)沿着配置于配置区域(P)的半导体激光元件(12)的谐振方向(D)配置，排出路(48)在与配置于配置区域(P)的半导体激光元件(12)的谐振方向(D)交叉的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN116195073A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180063266.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0264
Abstract: 本发明的光检测器(10)具备：半导体基板(11)、以沿着光波导方向(A)延伸的方式形成在半导体基板(11)的主面(11a)上的台面部(12)、第1接触层(13)、第2接触层(14)、第1电极(15)、以及与第1接触层(13)和第1电极(15)电连接的空气桥配线(16)。在从与半导体基板(11)的主面(11a)垂直的方向观察的情况下，台面部(12)的在光波导方向(A)上的长度(L1)比台面部的在与光波导方向(A)垂直的方向上的长度(L2)长。空气桥配线(16)，从第1接触层(13)向与光波导方向(A)垂直的方向上的一侧引出，并架设在第1接触层(13)与第1电极(15)之间。
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