紫外传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1503380A

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN200310119906.7

    申请日:2003-11-25

    CPC classification number: G01J1/429 H01L2224/48465

    Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5,在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭,它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1-x)N(0<x<1)的一光吸收层9。

    紫外传感器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100399585C

    公开(公告)日:2008-07-02

    申请号:CN200310119906.7

    申请日:2003-11-25

    CPC classification number: G01J1/429 H01L2224/48465

    Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5,在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭,它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1-x)N(0<x<1)的一光吸收层9。

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