半导体光电阴极
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1481569A

    公开(公告)日:2004-03-10

    申请号:CN01820827.4

    申请日:2001-12-18

    CPC classification number: H01J1/34 H01J2201/3423

    Abstract: 在光吸收层2厚时,将发生时间分辨率降低的现象,如果限制光吸收层2的厚度,则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断,所以,相邻的电子浓度分布重叠的区域减少,由于缩短了电子通过所需要的移动时间,可以抑制通过扩散而相互重叠的区域,此外,由于还提高了电场强度,所以,通过它们的相互协同的作用,可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级,厚度为1.3μm时,时间分辨率为40ps,厚度为0.19μm时,时间分辨率为7.5ps。

    光电阴极板和电子管
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1737977B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200410096534.5

    申请日:2004-11-30

    CPC classification number: H01J1/34 H01J1/78 H01J43/08 H01J2231/50

    Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中,在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63),可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中,用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此,可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化,可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是,在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中,可以稳定地得到高灵敏度的特性。

    光电倍增管
    3.
    发明公开
    光电倍增管 审中-公开

    公开(公告)号:CN119361411A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202410987735.1

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 一种光电倍增管,其具备:容器,其具有由透光性材料形成的窗部、和与窗部连接且与窗部一同划定真空空间的管状部;光电面,其通过由钠、钾及锑构成的光电子发射材料形成,设置于窗部的真空空间侧的第一表面上,并根据入射光发射光电子;电子倍增部,其根据从光电面发射的光电子的入射而发射二次电子,并且将二次电子倍增。在光电面和窗部之间及管状部的表面上形成有氧化铝层。

    半导体光电阴极
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1291435C

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN01820827.4

    申请日:2001-12-18

    CPC classification number: H01J1/34 H01J2201/3423

    Abstract: 在光吸收层2厚时,将发生时间分辨率降低的现象,如果限制光吸收层2的厚度,则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断,所以,相邻的电子浓度分布重叠的区域减少,由于缩短了电子通过所需要的移动时间,可以抑制通过扩散而相互重叠的区域,此外,由于还提高了电场强度,所以,通过它们的相互协同的作用,可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级,厚度为1.3μm时,时间分辨率为40ps,厚度为0.19μm时,时间分辨率为7.5ps。

    光电阴极板和电子管
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1737977A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200410096534.5

    申请日:2004-11-30

    CPC classification number: H01J1/34 H01J1/78 H01J43/08 H01J2231/50

    Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中,在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63),可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中,用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此,可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化,可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是,在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中,可以稳定地得到高灵敏度的特性。

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