公开(公告)号：CN113097320A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110344916.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN113058589A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110344179.2

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  庄杨 ,  吕慧丹 ,  李伟 ,  陈丹杨 ,  王子良

IPC: B01J23/30 ,  B01J35/10 ,  C01C1/04

Abstract: 本发明提供了一种Ce掺杂W18O49纳米线光催化剂制备方法，包括以下步骤：将一定量的乙醇、六氯化钨进行混合并搅拌，然后加入铈盐搅拌，得到混合溶液，最后将混合溶液移至聚四氟乙烯反应釜中，在150‑240℃的条件下进行溶剂热反应3‑24h，反应结束后进行离心，并用乙醇清洗，然后置于烘箱中烘干，得到Ce掺杂的W18O49纳米线材料。本发明方法制得到的Ce掺杂W18O49纳米线光催化剂具有较高的光催化固氮活性和稳定性。

公开(公告)号：CN111514911A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010380130.8

申请日：2020-05-08

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  刘威 ,  吕慧丹 ,  耿鹏 ,  庄杨 ,  王子良

IPC: B01J27/188 ,  B01J35/10 ,  C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种具有介孔结构的碳掺杂WP纳米片电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)制备片层WO3·2H2O粉末：(2)WO3/胺类物质杂化物前驱体粉末的制备：取WO3·2H2O块状粉末和胺类物质加入到聚四氟乙烯反应釜中在100‑200℃下反应24‑72h得到白色沉淀，用乙醇离心清洗数次，然后干燥得到WO3/胺类物质杂化物前驱体白色固体粉末；(3)WP@C的制备：以次亚磷酸钠作为磷源，使用双温控真空气氛管式炉先使WO3/胺类物质杂化物前驱体分解为WOx@C复合物，然后将WOx@C复合物磷化还原为片状WP@C电催化材料。本发明方法制得的碳掺杂WP纳米片电催化材料具有较高的比表面积和导电性。

公开(公告)号：CN113097320B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202110344916.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN112844349B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201911191738.X

申请日：2019-11-28

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  朱睿 ,  吕慧丹 ,  王子良 ,  陈丹杨 ,  庄杨

IPC: B01J21/06 ,  B01J35/10 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/26

Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。

公开(公告)号：CN113097321B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110345225.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN113073355A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110344063.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  庄杨 ,  吕慧丹 ,  李伟 ,  林剑飞 ,  王子良

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明提供了一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极的制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，在双温控真空气氛管式炉中在惰性气体保护下进行化学气相沉积，在导电基底材料上沉积二硫化锡纳米片阵列，导电基底/SnS2纳米片阵列；(2)将导电基底/SnS2纳米片阵列放入高温马弗炉中表面氧化反应一段时间后取出，然后在空气中冷却得到表面含有SnO2氧化膜的SnS2纳米片阵列光阳极。本发明方法制得到SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极具有较高的光电催化析氧的活性和稳定性。

公开(公告)号：CN110639582A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910820417.5

申请日：2019-09-01

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  刘勇平 ,  李时庆 ,  朱琴 ,  陈丹杨 ,  王子良

IPC: B01J27/24

Abstract: 本发明公开了一种具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂的制备方法。首先将g-C3N4加入乙醇，然后加入WCl6，超声分散后，转移至高压反应釜中进行水热反应，冷却、洗涤、干燥。最后将所得粉末样品放入马弗炉中以5℃/min的升温速率升至450℃，保温3小时，即制得具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂。所制备的样品是WO3量子点分布在g-C3N4纳米片表面，是一种2D/0D结构的复合光催化剂。本发明方法操作简便、产率高，所制备的具有2D/0D结构的g-C3N4/WO3复合光催化剂具有较高的光催化活性，且光催化析氢性能稳定。