驱动模块
    11.
    发明公开
    驱动模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN115802667A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211484484.2

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明提供驱动模块,包括壳体和布置在壳体内的驱动电路板,其中,驱动电路板上设置有门极和阴极输出接口、光纤接口和供电接口,门极和阴极输出接口、光纤接口和供电接口分别卡设在壳体上。本发明将驱动电路板布置在壳体内,采用一体封装结构对内部电气元器件起到绝缘保护作用,能够有效提高驱动模块的耐压绝缘性能、环境适应能力和抗振动冲击能力,并且有效提高电子元器件的使用寿命和可靠性。

    功率半导体器件封装结构
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115763450A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211524368.9

    申请日:2022-11-30

    Abstract: 本发明提供功率半导体器件封装结构,包括从上至下依次布置的管盖、晶闸管芯片、二极管芯片、GCT芯片和管座,其中管盖与管座之间设置有管壁,晶闸管芯片、二极管芯片和GCT芯片两侧均设置有钼片,位于晶闸管芯片上侧的钼片上设置有第一铜排,位于二极管芯片上侧的钼片上设置有第二铜排,位于GCT芯片上侧的钼片上设置有第三铜排,第一铜排和第三铜排的其中一端从管壁的同一侧伸出,晶闸管芯片上设置有门极针,与门极针连接的门极线和第二铜排的其中一端从管壁的另一侧伸出。本发明将功率半导体器件封装结构,将晶闸管芯片、二极管芯片和GCT芯片组合封装在一起,极大程度上减小了整个模块的体积。

    一种电压检测传感器及系统

    公开(公告)号:CN112305300B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201910705256.5

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种电压检测传感器及系统,涉及电压检测技术领域,该电压传感器包括传感器主体用于对被测器件进行检测,以获得被测器件的电压信号;充电电路用于根据电压信号驱动发光电路发光;发光电路用于将电压信号转换成光信号。该系统包括电压检测传感器、信号处理板以及计算机,发光电路的输出端与信号处理板的输入端连接,信号处理板的输出端与计算机的输入端连接。本发明的有益效果是:该电压检测传感器的结构简单,降低了功率器件的检测成本;该系统能够准确测算被测器件的电压值,并根据电压值来判断被测器件的状态,而且结构简单,大大降低检测成本。

    一种隔离供电光能传送装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116032033A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211634354.2

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本申请提供的一种隔离供电光能传送装置,包括:发光器,用于发射光线;聚光机构,设置于所述发光器的出光侧,用于聚焦所述发光器发射的光线;光纤机构,设置于所述聚光机构的出光侧,所述聚光机构聚焦的光线汇聚于所述光纤机构一端口并发射至所述光纤机构的另一端口;分光机构,设置于所述光纤机构的出光侧,用于将所述光纤机构另一端口的光线均匀分配;所述光伏发电机构,设置于所述分光机构的出光侧,用于将接收投射到光伏发电机构表面的均匀分配的光线转换为电能;电源管理模块,用于收集所述光伏发电机构转换的电能。采用本申请提供的装置,能够减小布线难度和线路体积。

    一种高压脉冲开关装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114629482A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011466337.3

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本申请涉及一种高压脉冲开关装置,包括门极组件,门极压封组件,芯片组件和并联铜环组件,所述门极组件固定连接在所述门极压封组件上端,所述芯片组件设置在所述门极压封组件内部,所述并联铜环连接于所述芯片组件下方。通过该并联铜环组件巧妙的解决了多芯片电路拓扑结构间的隔离难题,通过多芯片封装可实现不同功率等级开关装置。此外,所述脉冲开关适用的关断电流较大,阻断电压较高。并且能够将振动、冲击、高低温循环、盐雾等环境因素对产品影响降低到合理范围。

    一种IGCT封装结构
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111933588B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202010592494.2

    申请日:2020-06-24

    Abstract: 本发明提供一种IGCT封装结构,包括环形门极、连接部件、弹性支撑部件和门极外接环。其中,连接部件的顶部与底部分别与环形门极和门极外接环连接,弹性支撑部件位于连接部件内。本发明提供的IGCT封装结构,能够在保证压力传递均匀的同时简化封装工艺流程,提高封装效率,并且有效缩短换流回路的迂回长度,从而有效降低换流回路的杂散电感的IGCT封装结构。

    大功率半导体器件
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114038808A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111264988.9

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本申请提供了一种大功率半导体器件。该大功率半导体器件包括:半导体芯片;半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部;内部驱动板,其位于大功率半导体器件的底部;门极铜块,其设置在芯片门极区域与内部驱动板之间;铜块通过弹性导电组件下压位于内部驱动板上的MOSFET;弹性导电组件包括用于调节MOSFET所受压力大小的碟簧。利用该大功率半导体器件,其铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的MOSFET,从而确保各个MOSFET所受压力的均匀一致,降低接触热阻与大功率半导体器件的内部压降,并通过控制弹性导电组件中碟簧的压缩量,将压力的大小控制在一定的范围内,防止压坏MOSFET。

    基于集成门极换流晶闸管的功率模块

    公开(公告)号:CN112202435A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202010839567.3

    申请日:2020-08-19

    Abstract: 本发明涉及一种基于集成门极换流晶闸管的功率模块,涉及电力电子技术领域。本发明的基于集成门极换流晶闸管的功率模块,包括至少两个层叠设置功率子单元,由于相邻的功率子单元关于第一器件的上表面或下表面对称设置,因此可使相邻的第一导通结构中的电流方向相反,且相邻的第二导通结构中的电流方向也相反,而流向相反的电流产生的电磁感应会相互抵消一部分,从而实现降低回路杂散电感的目的。

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