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公开(公告)号：CN120072721A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411580956.3
申请日：2024-11-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明的目的在于提供一种衬底搬送装置及具备所述衬底搬送装置的衬底处理装置，能防止在搬送时对衬底产生损伤。在由第l手部(19)保持衬底(W)时，操作伺服电动机(79)使各引导件(67)移动到衬底(W)的外周面。在由触觉传感器(73)检测出各引导件(67)抵接于衬底(W)的外周面的情况下，根据衬底(W)的形状，由伺服电动机(79)调整各引导件(67)对衬底(W)的外周面的作用力。因此，能按衬底(W)的翘曲或厚度等衬底(W)的每个形状调整夹持力。结果，不管衬底(W)的形状如何，都能防止在搬送时对衬底(W)产生损伤。
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公开(公告)号：CN119204256A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411261650.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种用于追加学习的学习用数据生成方法以及学习完毕模型生成方法。基板处理装置包括喷嘴、移动机构、存储部及控制部。移动机构使喷嘴移动。存储部存储学习完毕模型。学习完毕模型是通过将表示喷嘴的移动速度的学习对象速度信息与处理量作为学习用数据进行学习而生成，所述处理量是以基于学习对象速度信息的速度来使喷嘴移动并对学习对象基板执行处理而获取。控制部将处理量的目标量输入至学习完毕模型，由此，从学习完毕模型输出处理时速度信息。控制部在对处理对象基板执行处理时，控制移动机构，以使喷嘴以基于处理时速度信息的速度而移动。处理时速度信息表示喷嘴的移动速度。
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公开(公告)号：CN115910849A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211113899.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。在基板保持部，气体供给部在基板的下表面与基部的基面之间送出气体，形成趋向径向外方的气流。分隔板在基部的基面上与基板的外周缘相比配置在径向外侧，包围基板的周围。分隔板的内周缘与基板的外周缘在径向上彼此分离并且相对置。分隔板的上表面与基板的上表面在上下方向上位于相同位置、或者与基板的上表面相比位于下侧。在分隔板的下表面与基部的基面之间设有环状流路。分隔板固定于基部，利用基板旋转机构与基部一并旋转。由此，能够抑制供给至基板的上表面的处理液附着于基板的下表面。
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公开(公告)号：CN114649193A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111545593.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种基板清洗方法及基板清洗装置，本申请说明书公开的技术是抑制对通过伯努利吸盘被保持的基板进行清洗的清洗液在清洗喷嘴内残留的技术。在本申请说明书公开的技术中，基板清洗方法是对被伯努利吸盘保持的基板进行清洗的基板清洗方法，具备：经由清洗喷嘴向与保持基板的保持面对置的面即基板的下表面供给清洗液的工序；以及在供给清洗液的工序之后，在基板被伯努利吸盘保持的状态下对清洗喷嘴内进行抽吸的工序。
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公开(公告)号：CN113491000A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017283.4
申请日：2020-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 基板处理方法包含：第一蚀刻工序，其一边使基板(W)旋转，一边将第一磷酸液(L1)供给至基板(W)而蚀刻多个叠层，前述基板(W)具有包含氮化硅层的多个叠层隔着间隙而相对的三维层叠结构；中断工序，其在残留有氮化硅层的状态下中断通过第一蚀刻工序所进行的多个叠层的蚀刻；及第二蚀刻工序，其使基板(W)浸渍于被贮存在处理槽(310)的第二磷酸液(L2)，而再次开始已被中断的多个叠层的蚀刻。
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公开(公告)号：CN112542399A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010823747.2
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够合适地处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置(1)。基板处理方法具有向由固定销(103)在比第一板(101)的上表面(102)更靠上方的位置支撑的基板(W)供给处理液的步骤(S39)。在向基板(W)供给处理液的步骤(S39)中，从第一吹出口(105)向上方吹出气体，并且从第二吹出口(106)向上方吹出气体。第一吹出口(105)形成于第一板(101)的上表面(102)的中央部。第二吹出口(105)形成于第一板(101)的上表面(102)的周缘部。第二吹出口(106)以比第一吹出口(105)大的流量吹出气体。
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公开(公告)号：CN114649193B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111545593.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种基板清洗方法及基板清洗装置，本申请说明书公开的技术是抑制对通过伯努利吸盘被保持的基板进行清洗的清洗液在清洗喷嘴内残留的技术。在本申请说明书公开的技术中，基板清洗方法是对被伯努利吸盘保持的基板进行清洗的基板清洗方法，具备：经由清洗喷嘴向与保持基板的保持面对置的面即基板的下表面供给清洗液的工序；以及在供给清洗液的工序之后，在基板被伯努利吸盘保持的状态下对清洗喷嘴内进行抽吸的工序。
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公开(公告)号：CN119297117A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411394697.5
申请日：2020-07-03
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，有效抑制处理液相对于基板的下表面的蔓延。该基板处理装置具备：保持部，其用于能够旋转地保持基板；旋转驱动部，其用于使上述保持部旋转；以及对置板，其在俯视下包围上述保持部且与上述基板对置，上述对置板具备：第一气体供给部，其设于径向的内侧，且用于至少向上述基板与上述对置板之间供给气体；以及至少一个位移部，其设于比上述第一气体供给部靠径向外侧的与上述基板对置的面，且与径向内侧相比，径向外侧的与上述基板之间的距离短。
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公开(公告)号：CN113614886B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080021193.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 处理条件选择方法包括步骤(S21)以及步骤(S22)。在步骤(S21)中，比较表示在对象物的多个测定位置分别测定出的多个厚度的分布的厚度图案(TM)与预先存储的多个参照图案(RP)，根据规定规则从多个参照图案(RP)中确定与厚度图案(RM)相关度高的参照图案(RP)。在步骤(S22)中，取得与多个参照图案(RP)分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的参照图案(RP)相关联的参照处理条件而作为对象物的处理条件。多个参照图案(RP)分别表示参照对象物的物理量的分布。多个参照处理条件分别表示过去对具有参照图案(RP)的参照对象物执行了处理时的处理条件。
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