公开(公告)号：CN114649193B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202111545593.6

申请日：2021-12-16

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 日野出大辉 ,  逸见昂史 ,  太田乔 ,  中西恭平 ,  中泽和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本申请公开了一种基板清洗方法及基板清洗装置，本申请说明书公开的技术是抑制对通过伯努利吸盘被保持的基板进行清洗的清洗液在清洗喷嘴内残留的技术。在本申请说明书公开的技术中，基板清洗方法是对被伯努利吸盘保持的基板进行清洗的基板清洗方法，具备：经由清洗喷嘴向与保持基板的保持面对置的面即基板的下表面供给清洗液的工序；以及在供给清洗液的工序之后，在基板被伯努利吸盘保持的状态下对清洗喷嘴内进行抽吸的工序。

公开(公告)号：CN114616649B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202080074806.9

申请日：2020-10-15

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 日野出大辉 ,  太田乔 ,  板原隆夫 ,  中西恭平 ,  岛野达矢

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/66

Abstract: 基板(WF)具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域(RS)，并设置有被处理膜(501)。通过一边使基板(WF)旋转一边使传感器(81)在径向上进行扫描，测定径向上的被处理膜(501)的厚度分布。计算出厚度分布的平均厚度(davg)。提取厚度分布具有平均厚度(davg)的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置。将至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置。一边使基板(WF)旋转一边自喷嘴(52)朝基板(WF)的被处理膜(501)上供给处理液。一边使基板(WF)旋转，一边通过传感器(81)在至少一个测定位置对被处理膜(501)的厚度的随时间的变化进行监视。

公开(公告)号：CN114616649A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080074806.9

申请日：2020-10-15

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 日野出大辉 ,  太田乔 ,  板原隆夫 ,  中西恭平 ,  岛野达矢

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/66

Abstract: 基板(WF)具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域(RS)，并设置有被处理膜(501)。通过一边使基板(WF)旋转一边使传感器(81)在径向上进行扫描，测定径向上的被处理膜(501)的厚度分布。计算出厚度分布的平均厚度(davg)。提取厚度分布具有平均厚度(davg)的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置。将至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置。一边使基板(WF)旋转一边自喷嘴(52)朝基板(WF)的被处理膜(501)上供给处理液。一边使基板(WF)旋转，一边通过传感器(81)在至少一个测定位置对被处理膜(501)的厚度的随时间的变化进行监视。

公开(公告)号：CN114649193A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111545593.6

申请日：2021-12-16

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 日野出大辉 ,  逸见昂史 ,  太田乔 ,  中西恭平 ,  中泽和彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本申请公开了一种基板清洗方法及基板清洗装置，本申请说明书公开的技术是抑制对通过伯努利吸盘被保持的基板进行清洗的清洗液在清洗喷嘴内残留的技术。在本申请说明书公开的技术中，基板清洗方法是对被伯努利吸盘保持的基板进行清洗的基板清洗方法，具备：经由清洗喷嘴向与保持基板的保持面对置的面即基板的下表面供给清洗液的工序；以及在供给清洗液的工序之后，在基板被伯努利吸盘保持的状态下对清洗喷嘴内进行抽吸的工序。