公开(公告)号：CN103000600A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210071044.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  安藤善康 ,  谷本亮 ,  岩本正次 ,  竹本康男 ,  田口英男 ,  武部直人 ,  宫下浩一 ,  田中润 ,  石田胜广 ,  渡边昭吾 ,  佐野雄一

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述电极被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al。所述第一连接部件电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu。所述第一密封部件密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件。一个或多个第二半导体芯片层叠在所述第一密封部件上。所述第二密封部件密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及一个或多个第二连接部件。所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。

公开(公告)号：CN1460278A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800846.4

申请日：2002-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一

IPC: H01J29/76

CPC classification number: H01J29/76 ,  H01J29/762 ,  H01J2229/7032

Abstract: 一种阴极射线管装置包含偏转线圈，该线圈包括使电子束在水平方向上偏转的水平偏转线圈。水平偏转线圈具有位于沿着管轴方向的主线圈部分，位于主线圈部分荧光屏一侧的凸缘部分，以及位于主线圈部分颈部一侧的无弯曲凸缘部分。颈侧凸缘部分的最大线圈厚度大于在颈侧凸缘部分附近的主线圈部分的最大线圈厚度。