公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。

公开(公告)号：CN104917374A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453507.2

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仲敏行 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  內原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  増子真吾 ,  小野祐

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H02M2001/0048 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明提供一种具备可以使常导通元件适当地动作的控制电路的电源电路。根据一实施方式，电源电路包括第一电路，该第一电路包含一个以上的第一开关元件以及控制所述第一开关元件的动作的第一控制电路，且输出第一电压。进而，所述电源电路包括第二电路，该第二电路包含包括常导通元件的一个以上的第二开关元件以及控制所述第二开关元件的动作的第二控制电路，且输出从所述第一电压产生的第二电压。进而，所述第二控制电路是基于所述第二电路内的第一节点的电压或电流的值，发送使所述第一电路输出所述第一电压的第一信号。进而，所述第一控制电路是通过根据所述第一信号来控制所述第一开关元件的动作，而使所述第一电压从所述第一电路输出。

公开(公告)号：CN103325827A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210313334.5

申请日：2012-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野升太郎 ,  斋藤涉 ,  仲敏行 ,  谷内俊治 ,  山下浩明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02697 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供能够减少导通电阻且保持高耐压的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板；和多个栅电极，包括在与半导体基板平行的面内沿第一方向延伸的部分。半导体基板具有：第一导电型的第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上，包括在与半导体基板平行的面内沿着相对于第一方向和与第一方向正交的第二方向交叉的第三方向延伸、并且相互邻接地交替配置的多个第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；第二导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层上的包含栅电极的正下方区域间的区域，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域；和第一导电型的第四半导体层，设置在第三半导体层的正上方区域内，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域。

公开(公告)号：CN103325827B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210313334.5

申请日：2012-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野升太郎 ,  斋藤涉 ,  仲敏行 ,  谷内俊治 ,  山下浩明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02697 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供能够减少导通电阻且保持高耐压的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板；和多个栅电极，包括在与半导体基板平行的面内沿第一方向延伸的部分。半导体基板具有：第一导电型的第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上，包括在与半导体基板平行的面内沿着相对于第一方向和与第一方向正交的第二方向交叉的第三方向延伸、并且相互邻接地交替配置的多个第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；第二导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层上的包含栅电极的正下方区域间的区域，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域；和第一导电型的第四半导体层，设置在第三半导体层的正上方区域内，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域。

公开(公告)号：CN104465740A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410052440.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野哲也 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  仲敏行 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  增子真吾 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。

公开(公告)号：CN103325828A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315907.8

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/155 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

公开(公告)号：CN102694010A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210069986.9

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  小野升太郎 ,  仲敏行 ,  谷内俊治 ,  渡边美穗 ,  山下浩明

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66666 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体元件，包括：第1导电型的第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；含有SixGe1-x或SixGeyC1-x-y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；第1主电极，与上述第1半导体层连接；以及第2主电极，与上述第3半导体层连接。上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度。

公开(公告)号：CN106531798A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610055074.4

申请日：2016-01-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仲敏行

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H03K17/145 ,  H03K2217/0018 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7826

Abstract: 本发明涉及半导体装置、驱动控制装置及驱动控制方法。实施方式的半导体装置具备场效晶体管、开关、及控制部。场效晶体管具有衬底、设置在衬底之上的氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在漏极电极与源极电极之间的栅极电极。开关能够将衬底的电位切换为多个电位。控制部根据漏极电极的输入而以成为多个电位中的任一电位的方式控制开关。

公开(公告)号：CN102623499B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210017576.X

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  小野升太郎 ,  仲敏行 ,  谷内俊治 ,  渡边美穗 ,  山下浩明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7395

Abstract: 实施方式的半导体元件具备：第1导电型的第1半导体层、第1导电型的第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、第1导电型的第4半导体层、第1控制电极、引出电极、第2控制电极、第3控制电极。上述第1控制电极与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层隔着第1绝缘膜对置。上述引出电极与上述第1控制电极电连接，设置在上述第2半导体层之上。上述第2控制电极以及上述第3控制电极与上述引出电极电连接，在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置。在上述引出电极下的上述第2半导体层的表面没有设置上述第3半导体层。上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。