公开(公告)号：CN116779667A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210811216.0

申请日：2022-07-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  小林仁 ,  小野村正明 ,  矶部康裕 ,  洪洪 ,  关口秀树 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778

Abstract: 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。

公开(公告)号：CN115084258A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110878873.2

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 矶部康裕 ,  洪洪 ,  吉冈启 ,  杉山亨 ,  小野村正明

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，与第一氮化物半导体层相比带隙大；第一电极及第二电极，设置于第二氮化物半导体层的上方；第一绝缘膜，设置于第二氮化物半导体层的上方的、第一电极与第二电极之间，与第二氮化物半导体层接触，并包含第一绝缘材料；第二绝缘膜，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二氮化物半导体层的上方、第一绝缘膜的上方及第一绝缘膜与第二电极之间的第二氮化物半导体层的上方，并包含第二绝缘材料；第三电极，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二绝缘膜的上方；以及第四电极，具有第一电极部和第二电极部。

公开(公告)号：CN102237402B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110109142.8

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件具备：第一半导体层，其设置在基板上且含有第一导电型的氮化物半导体；第二半导体层，其设置在所述第一半导体层上、且含有具有与所述第一半导体层的表面载流子浓度相同量的表面载流子浓度的第二导电型的氮化物半导体。在所述第二半导体层上设置第三半导体层，其含有比所述第二半导体层的带隙宽度更宽的氮化物半导体。所述氮化物半导体元件进一步具备第一主电极，其与所述第二半导体层电连接；第二主电极，其与所述第一主电极隔开地设置、且与所述第二半导体层电连接；以及具备控制电极，其在所述第一主电极和所述第二主电极之间、隔着绝缘膜设置在贯通所述第三半导体层和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层的第一沟槽的内部。

公开(公告)号：CN103022118B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210320351.1

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体装置，具备基板（1）、第一氮化物半导体层（3）、第二氮化物半导体层（4）以及在第二氮化物半导体层上（4）设置的源电极（5）、漏电极（6）、第一栅电极（9）、肖特基电极（10）和第二栅电极（12）。在第二氮化物半导体层（4）与第一氮化物半导体层（3）之间的界面处，形成二维电子气。第一栅电极（9）是常截止型FET（20）的栅电极，设置在源电极（5）与漏电极（6）之间。肖特基电极（10）设置在第一栅电极（9）与漏电极（6）之间。第二栅电极（12）是常导通型FET（21）的栅电极，设置在肖特基电极（10）与漏电极（6）之间。

公开(公告)号：CN104465740A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410052440.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野哲也 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  仲敏行 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  增子真吾 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。

公开(公告)号：CN104064593A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310731532.8

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/42356

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。

公开(公告)号：CN103325828A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315907.8

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/155 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

公开(公告)号：CN103000682A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210061235.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

公开(公告)号：CN102623494A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110254450.X

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  吉冈启 ,  斋藤涉

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。

公开(公告)号：CN117747655A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310175536.6

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  小林仁 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  关口秀树 ,  大野哲也 ,  小野村正明

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备氮化物半导体元件、第一二极管以及第二二极管，氮化物半导体元件包括导电性的安装基座、形成于安装基座之上的半导体基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一主电极、第二主电极、第一栅极电极和第二栅极电极，所述第一二极管包括与所述安装基座电连接的第一阳极电极和与所述第一主电极电连接的第一阴极电极，所述第二二极管包括与所述安装基座电连接的第二阳极电极和与所述第二主电极电连接的第二阴极电极。