公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。