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公开(公告)号：CN102693999B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110285393.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G2300/0408 , G09G2300/08
Abstract: 根据一个实施例，显示装置包括绝缘层、显示单元和有机EL层。显示单元被设置在绝缘层的主表面上并且包含多条栅极线、多条信号线、多条电源线以及排列成矩阵结构的多个像素单元。有机EL层被设置在显示单元上。每个像素单元包含驱动晶体管和电阻器。驱动晶体管包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。驱动源电极或驱动漏电极被连接到多条电源线中的一条信号线。电阻器的一端被连接到驱动栅电极。电阻器的另一端被连接到栅极线、信号线和电源线中的一个。
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公开(公告)号：CN103378312A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210359267.0
申请日：2012-09-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5231 , H01L27/3262 , H01L51/5259 , H01L51/5284
Abstract: 本发明涉及一种显示装置。根据一个实施例，显示装置包括透光衬底、透光像素电极、开关元件、有机发光层、透光相对电极、导电光吸收层和导电膜。透光像素电极设置在衬底上。开关元件设置在衬底上并且电连接至像素电极。有机发光层设置在像素电极上。透光相对电极设置在有机发光层上。导电光吸收层设置在相对电极上。导电膜设置在光吸收层上。
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公开(公告)号：CN102484135A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161251.5
申请日：2009-09-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , B82Y10/00 , H01L29/66969
Abstract: 提供一种薄膜晶体管，它包括：栅电极；半导体层，其面对栅电极设置并包括含有镓和锌中的至少一种以及铟的氧化物；栅绝缘膜，设置在栅电极和半导体层之间；以及源电极和漏电极，它们电连接到半导体层并彼此分隔开。半导体层包括三维地散布在半导体层中并具有原子排列周期性的多个微晶体。
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公开(公告)号：CN101232073A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008901.X
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577845A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058626.4
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23F4/00 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中，在基板上形成绝缘层，在上述绝缘层上形成下部电极，在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜，在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层，把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工，形成磁阻效应元件，在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜，利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。
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公开(公告)号：CN1452174A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02151651.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
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公开(公告)号：CN1448945A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108379.X
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607
Abstract: 提供了一种磁阻效应元件，其中：自由铁磁性层的形状包含具有平行四边形的轮廓的第一部分和从第一部分的一对对角部向与第一部分的一对对边平行的主方向分别伸出的一对第二部分；所述形状对于通过所述第一部分的中心且与主方向平行的直线是非对称的；自由铁磁性层的容易磁化轴在由第一方向对第二方向所成的锐角所规定的范围内；所述第一方向和所述主方向实质上是平行的；所述第二方向与连接所述第二部分的轮廓彼此间的最长的线段实质上是平行的。
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公开(公告)号：CN1433020A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102766.0
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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公开(公告)号：CN103022143B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210177380.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02266 , H01L21/02565 , H01L27/3244 , H01L29/24 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L51/0096 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备。根据一个实施例，薄膜晶体管包括衬底、栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、第二绝缘膜、源电极、以及漏电极。栅电极设置在衬底的一部分上。第一绝缘膜覆盖栅电极。氧化物半导体膜经由第一绝缘膜设置在栅电极上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜的一部分上。源电极和漏电极分别连接到未用第二绝缘膜覆盖的氧化物半导体膜的第一和第二部分。氧化物半导体膜包括氧化物半导体。第一和第二绝缘膜中的含氢浓度分别不小于5×1020原子/cm-3，并且不大于1019原子/cm-3。
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