Patent search ap:("日本电气株式会社" OR "瑞萨电子株式会社") AND inv:"曾川祯道" Page 2

11.

发明授权
电子装置封装体、模块以及电子装置有权转让

公开(公告)号：CN101371353B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200780002937.0

申请日：2007-01-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山崎隆雄 , 曾川祯道 , 西山知宏

IPC: H01L23/12 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18

CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L23/642 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/19105 , H01L2224/0401

Abstract: 提供一种半导体封装体或类似装置，所述半导体封装体有利于抑制半导体装置的制造成本，并适用于改进用于增强接地线和/或电源线的半导体封装体的可靠性。半导体封装体(50)设置有：半导体装置(1)，其中外电极形成于电路平面上；形成其中布置半导体装置(1)的储存部分的嵌入基板(2)；以及设置有配线图案(7)的插入基板(5)，插入基板(5)以两端沿嵌入基板(2)弯曲。嵌入基板(2)由导电材料形成，并电连接到插入基板(5)的配线图案(7)中的接地线或电源线。

12.

发明公开
电子装置封装体、模块以及电子装置有权转让

公开(公告)号：CN101371353A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002937.0

申请日：2007-01-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山崎隆雄 , 曾川祯道 , 西山知宏

IPC: H01L23/12 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18

CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L23/642 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/19105 , H01L2224/0401

Abstract: 提供一种半导体封装体或类似装置，所述半导体封装体有利于抑制半导体装置的制造成本，并适用于改进用于增强接地线和/或电源线的半导体封装体的可靠性。半导体封装体(50)设置有：半导体装置(1)，其中外电极形成于电路平面上；形成其中布置半导体装置(1)的储存部分的嵌入基板(2)；以及设置有配线图案(7)的插入基板(5)，插入基板(5)以两端沿嵌入基板(2)弯曲。嵌入基板(2)由导电材料形成，并电连接到插入基板(5)的配线图案(7)中的接地线或电源线。

13.

发明公开
半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置失效

公开(公告)号：CN101076884A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580040367.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 曾川祯道 , 山崎隆雄 , 高桥信明

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1319 , H01L2224/132 , H01L2224/133 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K2201/0212 , Y02P70/613 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2224/11

Abstract: 端子焊盘被形成在LSI芯片的有效面上，并且复合阻挡金属层被提供在该端子焊盘上。由硅树脂构成的多个低弹性颗粒分散在由NiP构成的金属基相中。复合阻挡金属层的膜厚度例如为3μm，并且低弹性颗粒的直径例如为1μm。通过将焊块键合到复合阻挡金属层，半导体器件被安装在线路板上。从而，低弹性颗粒被允许当半导体器件经由焊块键合到线路板时，根据所施加的应力而变形，因此应力可以被吸收。

14.

发明授权
电子器件封装、模块以及电子器件失效

公开(公告)号：CN101395715B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200780007945.4

申请日：2007-02-28

Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 山崎隆雄 , 曾川祯道 , 城内俊昭 , 大谷内贤治

IPC: H01L23/12 , H01L25/11 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L25/10

CPC classification number: H01L23/4985 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73253 , H01L2225/1005 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2224/48

Abstract: 提供一种电子器件封装等，其中内插器基板上的布线图形不容易在电子器件和插入基板之间形成的空间中损坏。所述半导体封装是扇出型封装，设有内插器基板(3)、半导体器件(1)以及安排在基板(3)上的插入基板(18)。内插器基板(3)内具有布线图形(6)。空间(8)形成在半导体器件(1)和插入基板(18)之间，在与空间对应的区域中，形成加强装置，例如金属膜(7)，用于增加布线图形(6)的强度。

15.

发明公开
真空包装及其制造方法失效

公开(公告)号：CN101447464A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178837.X

申请日：2008-12-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 曾川祯道 , 山崎隆雄 , 佐野雅彦 , 仓科晴次 , 秋本裕二

IPC: H01L23/02 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L41/053 , H01L41/22 , G01J1/02

CPC classification number: H01L23/057 , B81C1/00285 , B81C2203/0145 , H01L23/047 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/00 , H01L2924/20753 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种不产生大型化、密封不良及功能不良且实现高真空的真空包装及其制造方法。真空包装(100)具备：真空密封于室(6)内的红外线受光元件(1)和形成室(6)的红外线透过窗(12)、间隔件(9)及受光元件基板(3)。红外线透过窗(12)具有用于将室(6)内脱气贯通孔(13)，贯通孔(13)利用密封材料密封。形成贯通孔(13)的红外线透过窗(12)的角部为钝角。贯通孔(13)的内壁具有：自室(6)的外面侧向内面侧将贯通孔的开口面积缩小的第一锥形面、和自室(6)的内面侧向外面侧将贯通孔(13)的开口面积缩小的第二锥形面，第一锥形面形成在比第二锥形面更靠室(6)的外面侧。另外，密封材料(15)用的焊盘(14)只形成在贯通孔(13)的内壁中第一锥形面上。

16.

发明授权
半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置失效

公开(公告)号：CN100468674C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580040367.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 曾川祯道 , 山崎隆雄 , 高桥信明

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1319 , H01L2224/132 , H01L2224/133 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K2201/0212 , Y02P70/613 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2224/11

Abstract: 端子焊盘被形成在LSI芯片的有效面上，并且复合阻挡金属层被提供在该端子焊盘上。由硅树脂构成的多个低弹性颗粒分散在由NiP构成的金属基相中。复合阻挡金属层的膜厚度例如为3μm，并且低弹性颗粒的直径例如为1μm。通过将焊块键合到复合阻挡金属层，半导体器件被安装在线路板上。从而，低弹性颗粒被允许当半导体器件经由焊块键合到线路板时，根据所施加的应力而变形，因此应力可以被吸收。

17.

发明公开
半导体封装及层叠型半导体封装失效

公开(公告)号：CN101286492A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810092146.8

申请日：2003-11-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 枦山一郎 , 曾川祯道 , 山崎隆雄 , 北城荣

IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/00

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5387 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2924/00

Abstract: 半导体封装是由半导体装置芯片和具有热可塑性的绝缘树脂层的可挠性基板构成的。设置在可挠性基板上的电极与上述半导体装置芯片规定的电极连接，并且由热可塑性绝缘树脂层密封，而且上述可挠性基板可弯曲，在电极形成面和其它面上设置电极。该可挠性基板中配线被多层化，在可挠性基板的弯曲部分或包含弯曲部分的区域形成槽，或者，形成配线层数不同的薄层部，在半导体装置安装部形成凹部。并且，在规定位置弯曲上述可挠性基板，形成不依赖上述半导体装置芯片的外形尺寸的半导体封装。

18.

发明公开
半导体封装及层叠型半导体封装失效

公开(公告)号：CN1695246A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200380100735.1

申请日：2003-11-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 枦山一郎 , 曾川祯道 , 山崎隆雄 , 北城荣

IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5387 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2924/00

Abstract: 半导体封装是由半导体装置芯片和具有热可塑性的绝缘树脂层的可挠性基板构成的。设置在可挠性基板上的电极与上述半导体装置芯片规定的电极连接，并且由热可塑性绝缘树脂层密封，而且上述可挠性基板可弯曲，在电极形成面和其它面上设置电极。该可挠性基板中配线被多层化，在可挠性基板的弯曲部分或包含弯曲部分的区域形成槽，或者，形成配线层数不同的薄层部，在半导体装置安装部形成凹部。并且，在规定位置弯曲上述可挠性基板，形成不依赖上述半导体装置芯片的外形尺寸的半导体封装。