公开(公告)号：CN100541791C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710101059.X

申请日：2007-04-26

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 副岛康志 ,  栗田洋一郎 ,  川野连也 ,  山道新太郎 ,  菊池克

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 第一电子电路组件以及第二电子电路组件分别通过第一焊料以及第二焊料电连接到导电部件。导电部件形成在树脂膜中。导电部件被配置为包括第二扩散阻挡金属膜。第二扩散阻挡金属膜防止第二焊料的扩散。在导电部件以及第一焊料之间配置第一扩散阻挡金属膜。第一扩散阻挡金属膜防止第一焊料的扩散。在树脂膜的第一表面上以及在导电部件上，形成粘合金属膜使其与树脂膜以及导电部件相接触。与第一焊料以及第一扩散阻挡金属膜的任何一个相比，粘合金属膜与树脂膜的粘合性更强。

公开(公告)号：CN101355064A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810134324.9

申请日：2008-07-24

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 村井秀哉 ,  森健太郎 ,  山道新太郎 ,  川野连也 ,  前田武彦 ,  副岛康志

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49146

Abstract: 本发明提供一种通路的位置精度高，高成品率，可靠性出色的半导体芯片内置于绝缘层等中的半导体装置及其制造方法。其具有：其上形成了外部连接用焊盘(23)和通路形成用的定位记号(22)的半导体芯片(20)；具有多个通路(14)的以非感光性树脂为成分的绝缘层(12)；以及通过通路(14)而与外部连接用焊盘(23)电连接并且至少有一部分在绝缘层(12)上面形成的布线(15)。绝缘层(12)在定位记号(23)上面的部分上形成了凹部(13)。凹部(13)的底面只是绝缘层(12)。

公开(公告)号：CN101388373A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810160807.6

申请日：2008-09-16

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  川野连也 ,  副岛康志

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种确保微小通路下的连接可靠性的可靠性高的半导体装置及其制造方法，半导体装置具备：半导体基板(11)；配置在半导体基板(11)上，并且具有至少1个以上的第1布线层、至少1个以上的第1绝缘层及第1通路的第1布线构造体(12)；配置在第1布线构造体(12)上，并且具有至少1个以上的第2布线层(15)、至少1个以上的第2绝缘层(14)、第2通路(16)及第3通路(19)的第2布线构造体(17)；以及设置在第2布线构造体(17)上的外部端子(18)，其中，与第2布线构造体(17)的第2布线层(15)和外部端子(图1的18)接合的第2通路(16)在外部端子(18)侧的端部配置了接合界面(16a)。

公开(公告)号：CN101320716A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810125539.4

申请日：2008-06-10

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 森健太郎 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  船矢琢央 ,  川野连也 ,  前田武彦 ,  副岛康志

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00

Abstract: 在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板，并提供剥离材料。然后，定位半导体元件使得电极端子面朝上，且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件；且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后，通过使用剥离材料，从半导体器件上剥离透明基板。因而，能够高精度地安装芯片，在制造过程中在基底上安装芯片期间不需要提供定位标记，并且能够容易地去除基底。结果，能够以低成本制造具有高密度和薄外形的半导体器件。

公开(公告)号：CN102044449B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201010514945.7

申请日：2010-10-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：在晶圆上形成静电放电保护元件；在晶圆的主表面上形成凸块形状的第一内部电极组使其不电气地连接到静电放电保护元件组；在晶圆的主表面上形成绝缘树脂层使其覆盖第一内部电极组；在形成绝缘树脂层之后执行晶圆的划片，以产生具有第一内部电极组的第一芯片；以及将第一内部电极组电气地连接到第二芯片的第二内部电极组。在连接中，第一内部电极组穿透绝缘树脂层，使得第一和第二内部电极组相互连接。

公开(公告)号：CN101621065B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200910151004.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L27/04 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01F2038/143 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种电路器件。电路器件包括第一发送电感器、第一绝缘层、第一接收电感器、以及第二接收电感器。第一发送电感器由螺旋状导电图案构成并且接收被发送的信号。第一接收电感器位于通过第一绝缘层与第一发送电感器重叠的区域中。第一接收电感器由螺旋状导电图案构成，并且生成与被输入至第一发送电感器的被发送的信号相对应的接收的信号。第二接收电感器被串联地连接至第一接收电感器，并且由螺旋状导电图案构成。第二接收电感器响应于相同方向的磁场生成与由第一接收电感器生成的电压反向的电压。

公开(公告)号：CN102044449A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010514945.7

申请日：2010-10-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：在晶圆上形成静电放电保护元件；在晶圆的主表面上形成凸块形状的第一内部电极组使其不电气地连接到静电放电保护元件组；在晶圆的主表面上形成绝缘树脂层使其覆盖第一内部电极组；在形成绝缘树脂层之后执行晶圆的划片，以产生具有第一内部电极组的第一芯片；以及将第一内部电极组电气地连接到第二芯片的第二内部电极组。在连接中，第一内部电极组穿透绝缘树脂层，使得第一和第二内部电极组相互连接。

公开(公告)号：CN101373720B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810215852.7

申请日：2006-07-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  栗田洋一郎

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K3/423 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/113 ,  H05K1/114 ,  H05K3/025 ,  H05K3/064 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0733 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片(70)上形成种子金属层(20a)，在种子金属层(20a)上形成包括互连(18)的互连层(10)，在形成互连层(10)之后除去支撑基片(70)，以及在除去支撑基片之后，对种子金属层(20a)进行图形化以形成互连(20)。

公开(公告)号：CN102646628B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210097778.X

申请日：2007-10-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

公开(公告)号：CN107256831A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710413273.2

申请日：2010-10-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/60 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：提供第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有形成在第一主表面上的第一内部凸块电极组和形成在所述第一主表面上的第一外部凸块电极组；提供第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有形成在第二主表面上的第二内部凸块电极组和形成在所述第二主表面上的第二外部凸块电极组；提供插入器，所述插入器具有正表面、与所述正表面相反的反表面，形成在所述插入器中的多个内部布线，以及形成在所述插入器中的多个外部布线；以及将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片布置在所述插入器的所述正表面上，使得所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片并排安装在所述插入器的所述正表面上。