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公开(公告)号：CN117275871A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311319776.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种CoFe基磁性多层膜及其制备方法。本发明的CoFe基磁性多层膜，磁性层为N掺杂的CoFe层，采用磁控溅射法沉积得到N掺杂的CoFe层，通过在溅射过程中通入氮气，进而在溅射过程中引入氮离子，通过反应溅射方式在磁性层和氧化物(即MgO层)界面产生FeNx，从而有效调控Fe‑O的轨道杂化程度，调控电子云排布，通过N和O协同调节Fe的电子配位，并结合样品溅射镀膜顺序的设计有效控制N‑Fe‑O间的电荷转移，实现薄膜在面内磁各向异性和垂直磁各向异性(PMA)之间的可逆转变，并且使得薄膜够呈现出不同的磁矩组态。
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公开(公告)号：CN114606471B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210337334.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，为多层膜结构，包括基底，以及在基底上依次制备的Bi掺杂的FeCoCr薄膜和保护层；其中，所述保护层用于防止Bi掺杂的FeCoCr薄膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法和应用。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，通过控制Bi元素在FeCoCr薄膜中的掺杂量，可以对FeCrCo薄膜的矫顽力进行有效地调控，使得薄膜的矫顽力由不掺杂Bi时的457Oe，提升为掺Bi之后的930Oe，矫顽力增幅达100％以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN114086136B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN114279481B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111417615.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
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公开(公告)号：CN113241253B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110538469.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗，在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta，从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜，本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的，可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化，获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态，从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用，导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性，上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274295A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211186162.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及材料领域，具体涉及一种磁性薄膜、含有其的磁码组件以及制备方法。制备磁性薄膜的方法包括：采用磁控溅射沉积含有SrFe12O19的磁性材料，在大于500℃的条件下进行保温处理后，按1~5℃/min的速率降温至500℃，进行随炉冷却，得到磁性薄膜。在本发明中，采用的磁性薄膜材料为SrFe12O19，制备原料与制备方法简单，制备出的产品相一致性佳，同时制备出的薄膜具有高的矫顽力和高的剩磁比，而进一步地研究发现，本发明能在沉积后采用大于500℃的条件下进行保温后，采用随炉降温方式，在提高矫顽力和剩磁比的同时，又提高退火设备的利用率。
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公开(公告)号：CN115233089A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210529639.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种柔轮用特殊钢及其制备工艺，所述柔轮用特殊钢采用中碳高强度特殊钢制成，所述中碳高强度特殊钢的化学成分按质量百分含量包括：C：0.38％‑0.40％、Si：0.15％‑0.25％、Mn：1.0％‑1.20％、Cr：0.8％‑2.20％、Ni：0.5％‑0.8％、Mo：0.20％‑0.25％、B：0.0005％‑0.0010％、Sn：0.01‑0.02％、P≤0.012％、S≤0.005％、Cu：0.30％‑0.40％，余量为Fe及不可避免的杂质。本申请解决了现有技术柔轮材料的耐候性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114639775B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210541609.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN114639775A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210541609.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN114002252A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111652469.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明公开了多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，涉及材料分析领域，包括以下步骤：从磁性金属元素中选取目标元素；获取多层薄膜材料具备垂直磁各向异性时的氧化度预测范围；获取COB；获取CB；根据公式I计算多层薄膜材料的氧化度ε的实测值；判定多层薄膜材料的实测值是否在氧化度预测范围内；若多层薄膜材料的实测值在氧化度预测范围内，则多层薄膜材料具备垂直磁各向异性，反之，则不具备。本发明提供的多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，通过半定量数据对垂直磁各向异性进行表征，测试方法简单、直接且快捷；后续可以通过半定量的氧化度ε的实测值作为垂直磁各向异性的定量指标，有助于进一步研究。
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