公开(公告)号：CN114639775B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210541609.4

申请日：2022-05-19

Applicant: 季华实验室

Inventor： 冯春 ,  祝荣贵 ,  徐秀兰 ,  郭奇勋 ,  于广华

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。

公开(公告)号：CN114639775A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210541609.4

申请日：2022-05-19

Applicant: 季华实验室

Inventor： 冯春 ,  祝荣贵 ,  徐秀兰 ,  郭奇勋 ,  于广华

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。