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公开(公告)号：CN117275871A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311319776.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种CoFe基磁性多层膜及其制备方法。本发明的CoFe基磁性多层膜，磁性层为N掺杂的CoFe层，采用磁控溅射法沉积得到N掺杂的CoFe层，通过在溅射过程中通入氮气，进而在溅射过程中引入氮离子，通过反应溅射方式在磁性层和氧化物(即MgO层)界面产生FeNx，从而有效调控Fe‑O的轨道杂化程度，调控电子云排布，通过N和O协同调节Fe的电子配位，并结合样品溅射镀膜顺序的设计有效控制N‑Fe‑O间的电荷转移，实现薄膜在面内磁各向异性和垂直磁各向异性(PMA)之间的可逆转变，并且使得薄膜够呈现出不同的磁矩组态。
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