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公开(公告)号：CN101618852B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910056142.9
申请日：2009-08-07
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。
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公开(公告)号：CN102891077A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210365230.9
申请日：2012-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/40
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水/正丙醇混合溶液作为氧化剂而与金属源反应生成高k栅介质薄膜；所述高k栅介质薄膜为ⅢA族金属氧化物ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种以及它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以显著改善沉积在石墨烯表面的高k栅介质薄膜的均匀性和覆盖率，且在薄膜沉积工艺中不会破坏石墨烯晶体结构，有助于制备高性能的石墨烯器件。
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公开(公告)号：CN101135842A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN106876421B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710033236.9
申请日：2017-01-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏区域为金属‑半导体的肖特基接触，无须任何掺杂；沟道为不掺杂或者低掺杂；正栅极覆盖沟道的部分区域且一般在沟道中间，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理基于绝缘层上硅的动态耦合效应，背栅施加电压后会在沟道的背面形成导电的高载流子层；此时，正栅极在瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应产生深度耗尽，夹断背部的导电层；而光产生的载流子在正栅极下的沟道处聚集，从而隔绝正栅极对于背部导电沟道的耗尽，使得器件能被光触发而导通。相较于普通的光电反偏二极管，此器件具有工作电流高和易于组成传感阵列等优点。
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公开(公告)号：CN109243662A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811075983.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105006266B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510325463.X
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。
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公开(公告)号：CN104934303A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510327352.2
申请日：2015-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层，然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光，再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术，制备过程中不需要生物模板，并且能够控制每层胶的旋涂厚度，实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制，制备工艺简单，能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。
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公开(公告)号：CN104914494A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510322329.4
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G02B5/20 , G03F7/0002
Abstract: 本发明属于材料技术及纳米加工技术领域，具体为一种利用纳米压印制备带底盘金属孔洞获得全色谱结构色的方法。本发明包括：对衬底表面进行清洗和烘干处理；在衬底上旋涂光刻胶和前烘；对所述光刻胶进行纳米压印；对所述压印后的光刻胶进行紫外光固化处理；在压印后的光刻胶上淀积金属等步骤。本发明方法得到的带底盘的金属孔阵列具有可见光波段内（360纳米~810纳米）峰位可调的反常透射光谱谱峰，而体现的全色谱中单一颜色结构色，能用于CCD滤色片或彩色显示器等。
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公开(公告)号：CN104538292A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410722269.0
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02697 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种单层电子束光刻胶制备Y型栅的方法。该方法包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光出三维Y型结构，蒸发金属形成Y栅金属层，将残留的电子束光刻胶剥离四个步骤，从而利用电子束套刻在器件源漏之间形成Y型栅。本发明方法不仅能够有效降低Y型栅的尺寸提高Y型栅制作的效率，还能提高Y型栅的成品率以及一致性，在制作高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104483814A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410722282.6
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻技术领域，具体为一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法。本发明利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应进行超分辨纳米光刻，其步骤包括：在硅片表面旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻，经过显影之后形成半圆槽阵列，随后用浇注材料浇注形成光刻掩膜版；再在另一块硅片表面旋涂另一种光刻胶，将浇注形成的半圆槽阵列光刻掩膜版盖在光刻胶表面，通过光学光刻，显影之后形成光刻胶上的纳米级线条。本发明方法可实现超衍射极限的光学光刻能力；可进行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作；得到的纳米图形结构形貌可控；可实现高效、大面积制造；与现有半导体基础工艺直接相兼容。
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