公开(公告)号：CN104934301A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510329522.0

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李俊洁 ,  刘建朋 ,  陆冰睿 ,  邵金海

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100-300nm氮化硅隔膜上旋涂300-600nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100-200nm宽，200-500nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100-300nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。

公开(公告)号：CN104914073A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510374985.9

申请日：2015-07-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  马亚琪 ,  陆冰睿 ,  刘建朋 ,  张思超

IPC: G01N21/552

Abstract: 本发明属于纳米加工技术领域，具体为一种亚波长金柱阵列局域表面等离子体共振气液传感器及其制备方法。本发明利用电子束光刻在电子束光刻胶上形成亚波长周期性的圆孔阵列，进而利用该结构作为支架结合微电镀的方法生长金立柱，在剥离工艺之后形成严格周期性且直径可调节的极高的亚波长金柱阵列。本发明纳米金立柱柱体顶部及侧壁表面产生的复合局域电磁场增强而对入射光的波长选择性吸收和反射形成的局域表面等离子体共振光谱中吸收峰的位移来实现快速精确的检测周围环境介质的折射率。这种传感器具有对环境折射率灵敏度高，比表面积大，高度直径可调节，且易于制备，尺寸小，可适用于气液环境检测。

公开(公告)号：CN104409343A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410729053.7

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  刘建朋 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 本发明属于器件工艺制备技术领域，具体为一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法。本发明步骤包括：在 晶向的硅片上淀积低应力的氮化硅薄膜，利用光刻技术制备出光刻的图形，然后利用RIE刻蚀要去掉的氮化硅薄膜，最后利用KOH和乙醇的混合液进行腐蚀，得到边缘具有光学平整度的氮化硅隔膜。本发明工艺条件稳定、可控制，制备的图形一致性好。

公开(公告)号：CN105006266A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510325463.X

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  刘建朋 ,  陆冰睿 ,  李欣

IPC: G21K1/06 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。

公开(公告)号：CN105006266B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510325463.X

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  刘建朋 ,  陆冰睿 ,  李欣

IPC: G21K1/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。

公开(公告)号：CN104464870A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410728136.4

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  刘建朋 ,  邵金海 ,  陆冰睿

IPC: G21K1/06 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y40/00 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明属于电子束光刻加工技术领域，具体为一种高高宽比X射线透镜的制备方法。其步骤包括：在淀积有金属种子层的基片或者隔膜上，利用电子束曝光技术在光刻胶上制备出X光会聚透镜的设计图形，然后利用纳米电镀的工艺，得到高高宽比的condenser结构，最后利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，从而得到具有高高宽比的应用于X射线成像领域的condenser透镜。