无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法

    公开(公告)号:CN109243662A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811075983.X

    申请日:2018-09-14

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域,具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括:在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶,利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层,然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板,并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金,最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构,从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定,并适用于大高宽比的金属结构的制备。

    一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法

    公开(公告)号:CN104483814A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410722282.6

    申请日:2014-12-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于光刻技术领域,具体为一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法。本发明利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应进行超分辨纳米光刻,其步骤包括:在硅片表面旋涂一层光刻胶,利用电子束光刻,经过显影之后形成半圆槽阵列,随后用浇注材料浇注形成光刻掩膜版;再在另一块硅片表面旋涂另一种光刻胶,将浇注形成的半圆槽阵列光刻掩膜版盖在光刻胶表面,通过光学光刻,显影之后形成光刻胶上的纳米级线条。本发明方法可实现超衍射极限的光学光刻能力;可进行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作;得到的纳米图形结构形貌可控;可实现高效、大面积制造;与现有半导体基础工艺直接相兼容。

    无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法

    公开(公告)号:CN109243662B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201811075983.X

    申请日:2018-09-14

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域,具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括:在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶,利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层,然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板,并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金,最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构,从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定,并适用于大高宽比的金属结构的制备。

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