公开(公告)号：CN109243662A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811075983.X

申请日：2018-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李欣 ,  徐晨 ,  张思超 ,  朱静远 ,  谢珊珊 ,  陆冰睿

IPC: G21K1/06

Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。

公开(公告)号：CN109243662B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201811075983.X

申请日：2018-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李欣 ,  徐晨 ,  张思超 ,  朱静远 ,  谢珊珊 ,  陆冰睿

IPC: G21K1/06

Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。