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公开(公告)号：CN102110601B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010572181.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。
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公开(公告)号：CN101692151B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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公开(公告)号：CN102184975A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110089411.9
申请日：2011-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法。本发明的薄膜太阳能电池是在传统硅薄膜太阳能电池表面电极上加入周期性纳米尺寸金属铝圆柱体，引入局域表面等离激元共振效应，使吸收效率得到大幅提升，从而提高太阳能电池的光电转换效率。与传统硅薄膜太阳能电池相比，加入纳米铝圆柱体的硅薄膜太阳能电池具有转换效率高的优点，且工艺实现只需额外增加一次光刻。与常用于等离激元增强的贵金属银相比，使用金属铝可以在得到同样（稍高）吸收增强效果的同时大幅降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102184912A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110096681.2
申请日：2011-04-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102110601A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010572181.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101692151A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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公开(公告)号：CN101016616A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710037907.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN119592231A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411920236.7
申请日：2024-12-25
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明为一种基于氧化铈磨料的氧化硅/氮化硅酸性抛光液及其制备方法。该抛光液使用季铵盐类化合物作为离子活性助剂，在酸性条件下通过小粒径氧化铈磨料与氨基酸、表面活性剂和离子活性助剂的共同作用，实现了对氧化硅抛光速率的提高及对氮化硅的抛光速率的抑制，并获得了较低的氧化硅/氮化硅表面粗糙度。本发明实现了氧化硅抛光速率在#imgabs0##imgabs1#以上、氮化硅抛光速率在#imgabs2#以下的同时，氧化硅和氮化硅表面均达到了低于0.1nm的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN115714106A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211515611.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种压力可控的键合夹具，包含基板，其两端分别设有第一端盖、第二端盖；夹持组件，设置于第一端盖和第二端盖之间，用于夹持键合物，包含第一压头部、第二压头部，第一压头部与第二压头部相对的表面均可以固定键合物；以及设置于第一压头部和第一端盖之间的弹性件；丝杆组件，用于控制第二压头部的位置，包含贯穿第二端盖且可与第二压头部接触连接的丝杆、与丝杆螺纹连接的丝杆套，该丝杆套与第二端盖固定连接；旋转丝杆推动并限制第二压头部与第二端盖的相对位置，控制弹性件的压缩量进而控制弹性件施加在第一压头部的压力大小，从而改变第一压头部与第二压头部之间的压力。本发明提供的键合夹具结构紧凑，便于加工，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102157692B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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