公开(公告)号：CN1309073C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。

公开(公告)号：CN1507046A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。

公开(公告)号：CN101866924B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010165210.8

申请日：2010-04-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·T·莫 ,  卜惠明 ,  M·P·胡齐克 ,  W·K·汉森 ,  M·V·卡勒 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。

公开(公告)号：CN1992275B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610148517.0

申请日：2006-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  V·K·帕鲁许里 ,  V·纳拉亚南 ,  A·C·卡勒伽里 ,  张郢 ,  B·B·多里斯 ,  M·P·胡齐克 ,  M·L·斯特恩 ,  Y-H·金

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 提供了一种半导体结构及其制造方法，其中所述结构包括至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区，其中至少一个所述器件是减薄的含Si栅极的器件，而另一个器件是金属栅极的器件。也就是说，本发明提供了一种半导体结构，其中所述nFET或pFET器件的至少一者包括由减薄的含Si电极即多晶硅电极以及上覆的第一金属构成的栅电极叠层，而另一器件包括具有至少所述第一金属栅极但没有所述减薄的含Si电极的栅电极叠层。

公开(公告)号：CN100477224C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610143831.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·C·卡勒伽里 ,  M·L·斯特恩 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里 ,  B·B·多里斯 ,  M·P·胡齐克

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 提供了一种半导体结构，包括至少一个n型场效应晶体管(nFET)和至少一个p型场效应晶体管(pFET)，这两种晶体管分别包括具有nFET特性的金属栅极和具有pFET特性的金属栅极，而不包括上部多晶硅栅极电极。本发明还提供了一种制造所述半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN1992274A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610147073.9

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·纳拉亚南 ,  T-C·陈 ,  J·S·纽伯里 ,  B·B·多里斯 ,  B·P·林德 ,  V·K·帕鲁许里 ,  A·卡勒伽里 ,  M·L·斯特恩 ,  M·P·胡齐克 ,  J·C·阿诺德 ,  G·A·布莱里 ,  M·A·格里伯佑 ,  金永希

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明涉及互补金属－氧化物－半导体(CMOS)电路，其每个包含至少第一和第二栅极叠层。第一栅极叠层位于半导体衬底中的第一器件区域(例如，n－FET器件区域)上，且从底部至顶部包括至少，栅极介质层、金属栅极导体、和含硅栅极导体。第二栅极叠层位于半导体衬底中的第二器件区域(例如，p－FET器件区域)上，其从底部至顶部包括至少，栅极介质层和含硅栅极导体。第一和第二栅极叠层可以通过本发明各种方法以集成方式形成在半导体衬底上。

公开(公告)号：CN1983599A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610143831.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·C·卡勒伽里 ,  M·L·斯特恩 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里 ,  B·B·多里斯 ,  M·P·胡齐克

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 提供了一种半导体结构，包括至少一个n型场效应晶体管(nFET)和至少一个p型场效应晶体管(pFET)，这两种晶体管分别包括具有nFET特性的金属栅极和具有pFET特性的金属栅极，而不包括上部多晶硅栅极电极。本发明还提供了一种制造所述半导体结构的方法。