公开(公告)号：CN100541741C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710086007.X

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·帕基特 ,  A·W·托波尔 ,  D·C·阿尔格伦 ,  G·M·科昂 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种系统及方法包括在集电极上形成内基极。所述系统和方法还包括通过在预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化基本上停止于所述内基极处。所述系统和方法还包括形成与所述外基极和所述集电极物理隔离而与所述内基极物理接触的发射极。

公开(公告)号：CN101038877A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086007.X

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·帕基特 ,  A·W·托波尔 ,  D·C·阿尔格伦 ,  G·M·科昂 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种系统及方法包括在集电极上形成内基极。所述系统和方法还包括通过在预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化基本上停止于所述内基极处。所述系统和方法还包括形成与所述外基极和所述集电极物理隔离而与所述内基极物理接触的发射极。

公开(公告)号：CN1309073C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。

公开(公告)号：CN1507046A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。

公开(公告)号：CN100547791C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710103803.X

申请日：2007-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  D·R·梅戴罗斯 ,  A·W·托波尔 ,  T·W·戴耶

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明涉及具有用介质间隙填充物隔开的双应力物的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。更具体地说，本发明的每个CMOS器件都包括至少一个n沟道场效应晶体管(n-FET)和至少一个p沟道场效应晶体管(P-FET)。拉伸应力介质层覆盖n-FET，压缩应力介质层覆盖p-FET。间隙位于拉伸和压缩应力介质层之间并且用介质填充材料填充。在本发明的一个具体实施例中，拉伸和压缩应力介质层都被基本无应力的介质填充材料层覆盖。在本发明的可选实施例中，介质填充材料仅存在于拉伸和压缩应力介质层之间的间隙中。

公开(公告)号：CN101090115A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710103803.X

申请日：2007-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  D·R·梅戴罗斯 ,  A·W·托波尔 ,  T·W·戴耶

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明涉及具有用介质间隙填充物隔开的双应力物的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。更具体地说，本发明的每个CMOS器件都包括至少一个n沟道场效应晶体管(n－FET)和至少一个p沟道场效应晶体管(P－FET)。拉伸应力介质层覆盖n－FET，压缩应力介质层覆盖p－FET。间隙位于拉伸和压缩应力介质层之间并且用介质填充材料填充。在本发明的一个具体实施例中，拉伸和压缩应力介质层都被基本无应力的介质填充材料层覆盖。在本发明的可选实施例中，介质填充材料仅存在于拉伸和压缩应力介质层之间的间隙中。