公开(公告)号：CN101866924A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010165210.8

申请日：2010-04-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·T·莫 ,  卜惠明 ,  M·P·胡齐克 ,  W·K·汉森 ,  M·V·卡勒 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。

公开(公告)号：CN101866924B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010165210.8

申请日：2010-04-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·T·莫 ,  卜惠明 ,  M·P·胡齐克 ,  W·K·汉森 ,  M·V·卡勒 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。