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公开(公告)号：CN1223464A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98122391.5
申请日：1998-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3215 , H01L21/3115 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/28035 , H01L21/82345
Abstract: 提供一种双功函数的掺杂,通过至少各栅结构的一个侧壁,将具有各结构上的自对准绝缘层的所选数目的各栅结构掺杂为第一导电类型,从而提供栅结构阵列,由此使某些所说栅结构掺杂成第一导电类型,而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。另外,提供一种栅结构阵列,使各栅结构含有于其上部的自对准的绝缘层,其中某些所说栅结构掺杂成第一导电类型,而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。
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公开(公告)号：CN103367680B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310098776.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01M10/425 , H01M2/22 , H01M2/26 , H01M4/0473 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明涉及与CMOS器件集成的三维固态电池。提供了一种固态电池结构，具有在衬底中形成的多个电池元。所述多个电池元包括覆盖在第一绝缘层之上的第一集流器层和覆盖在所述第一集流器层之上的第一电极层。所述电池结构还包括覆盖在构图的第二电极层之上的第二集流器层。所述构图的第二电极层覆盖在所述衬底之上，并形成所述电池元的多个子阵列。所述电池结构还包括覆盖在所述第二集流器层之上的第二绝缘层。所述第二绝缘层基本上横向围绕第一接触衬垫和第二接触衬垫。所述第一接触衬垫电连接至所述第一集流器层，并且所述第二接触衬垫电连接至所述第二集流器层。所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫通过至少两个电线与位于所述衬底上的电路电连通。
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公开(公告)号：CN101958260A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010229586.0
申请日：2010-07-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/03005 , H01L2224/0401 , H01L2224/05011 , H01L2224/05016 , H01L2224/05019 , H01L2224/05027 , H01L2224/05552 , H01L2224/05563 , H01L2224/05572 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 可控坍塌芯片连接(C4)结构和制造方法，并且更具体地，涉及用以改进无引线C4互连可靠性的结构和方法。一种结构，包括球限定金属化(BLM)层和形成于所述BLM层之上的可控坍塌芯片连接(C4)焊料球。此外，该结构包括所述BLM层之下的最终金属焊盘层以及所述最终金属焊盘层之下的保护层。而且，该结构包括在所述C4焊料球之下、并且在所述最终金属焊盘层与所述BLM层和所述保护层之一之间形成的空气间隙。
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公开(公告)号：CN1638089B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410070537.1
申请日：2004-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76801 , H01L21/76804 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成后段制程(BEOL)互连结构的方法。该方法和所得的结构包括低k介电材料的回蚀。具体地说，把低介电常数的材料集成到含有介电常数较高(即4.0或更高)的介电材料的双或单镶嵌布线结构。镶嵌结构包括与金属互连紧密相邻的较高介电常数的材料，从而从这些材料的机械特性中受益，同时在互连层的其它区域引入较低介电常数的材料。
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公开(公告)号：CN100530634C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610146585.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54453 , H01L2225/06513 , H01L2225/06531 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于对准晶片的结构和用于操作此结构的方法。所述结构包括(a)第一半导体晶片，包括第一电容耦合结构；以及(b)第二半导体晶片，包括第二电容耦合结构。所述第一和第二半导体晶片通过公共表面相互直接物理接触。如果在所述第一和第二半导体晶片通过所述公共表面相互直接物理接触时，所述第一和第二半导体晶片在第一方向上相对于彼此移动1nm的第一位移距离，那么包括所述第一和第二电容耦合结构的第一电容器的电容量会发生至少10-18F的变化。所述第一方向基本上与所述公共表面平行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983610A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164118.3
申请日：2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , G02B6/42 , G02B6/10
CPC classification number: G01J1/04 , G01J1/0407 , G01J1/0422 , G01J1/0488
Abstract: 一种光传感结构及其形成方法。所述结构包括(a)半导体衬底和(b)在所述半导体衬底上的光收集区域。所述结构还包括在所述光收集区域的顶部上的漏斗状光导管。所述漏斗状光导管包括(i)在所述光收集区域的的顶部上的底部柱状部分，以及(ii)具有锥形形状且在所述底部柱状部分的顶部上并与所述底部柱状部分直接物理接触的漏斗状部分。所述结构还包括在所述漏斗状光导管的顶部上的滤色区域。
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公开(公告)号：CN1983591A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610146585.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54453 , H01L2225/06513 , H01L2225/06531 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于对准晶片的结构和用于操作此结构的方法。所述结构包括(a)第一半导体晶片，包括第一电容耦合结构；以及(b)第二半导体晶片，包括第二电容耦合结构。所述第一和第二半导体晶片通过公共表面相互直接物理接触。如果在所述第一和第二半导体晶片通过所述公共表面相互直接物理接触时，所述第一和第二半导体晶片在第一方向上相对于彼此移动1nm的第一位移距离，那么包括所述第一和第二电容耦合结构的第一电容器的电容量会发生至少10－18F的变化。所述第一方向基本上与所述公共表面平行。
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公开(公告)号：CN1638089A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410070537.1
申请日：2004-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76801 , H01L21/76804 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成后段制程(BEOL)互连结构的方法。该方法和所得的结构包括低k介电材料的回蚀。具体地说，把低介电常数的材料集成到含有介电常数较高(即4.0或更高)的介电材料的双或单镶嵌布线结构。镶嵌结构包括与金属互连紧密相邻的较高介电常数的材料，从而从这些材料的机械特性中受益，同时在互连层的其它区域引入较低介电常数的材料。
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公开(公告)号：CN104040684B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201380004855.5
申请日：2013-01-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L21/76883 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于制造后段制程(BEOL)布线结构的方法、BEOL布线结构(10)、以及用于BEOL布线结构的设计结构。可以通过在电介质层(18)中形成第一接线(44、45)并且在无氧环境中对第一接线退火而制造BEOL布线。在对第一接线退火之后，形成与第一接线竖直对准的第二接线(60、61)。形成包括诸如聚酰亚胺的有机材料的最终钝化层(74)，其覆盖第二接线的整个侧壁。
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公开(公告)号：CN104838499A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201280061269.X
申请日：2012-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y99/00
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L27/1222 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/785 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 制造半导体结构(5)包括：在芯轴(20a，20b)的侧壁上形成种子材料(25)；在种子材料(25)上形成石墨烯场效应晶体管(FET)(30)；以及去除种子材料(25)。
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