公开(公告)号：CN110729191A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201811396062.3

申请日：2018-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  吴伟豪 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括去除伪栅极以在栅极间隔件之间留下沟槽，形成延伸到沟槽中的栅极电介质，在栅极电介质上方沉积金属层，其中，金属层包括延伸到沟槽中的部分，将填充区沉积到沟槽中，其中，金属层具有位于填充区的相对侧上的第一垂直部分和第二垂直部分，回蚀刻金属层，其中，填充区至少比金属层凹进得更少，以及金属层的部分的剩余部分形成栅电极，将介电材料沉积到沟槽中，并且实施平坦化以去除介电材料的多余部分。介电材料的位于沟槽中的部分在栅电极上方形成介电硬掩模的至少部分。本发明的实施例涉及减少金属栅极的回蚀刻中的图案负载。

公开(公告)号：CN109786226A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811360328.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世钧 ,  陈秋翔 ,  叶雅雯 ,  沈育佃 ,  张博钦 ,  赖建文 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  严永松 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  刘如淦 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体装置的形成方法包括以光刻与蚀刻步骤形成第一硬遮罩于基板上的下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有第一侧壁部分与第二侧壁部分于第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻第一侧壁部分、蚀刻第一硬遮罩、与保留第二侧壁部分以桥接蚀刻的第一硬遮罩的间隙；以及采用第二硬遮罩，并对下方层进行工艺。

公开(公告)号：CN106711045A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610993412.9

申请日：2016-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  王志豪 ,  杨凱傑 ,  洪士庭 ,  吴伟豪 ,  吴琬瑶 ,  傅依婷 ,  苏嘉伟 ,  萧怡瑄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/42372

Abstract: 一种切割金属栅极的方法，此方法包括在基板上形成第一鳍与第二鳍。此第一鳍具有第一栅极区域且此第二鳍具有第二栅极区域。此方法亦包括在此第一及第二栅极区域上形成金属栅极接线。此金属栅极接线从第一鳍延伸至第二鳍。此方法亦包括施加线切割以将金属栅极接线分为第一子金属栅极接线及第二子金属栅极接线，并且在线切割中形成隔离区域。

公开(公告)号：CN220439613U

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202321381672.2

申请日：2023-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈姿蓓 ,  张家豪 ,  杨士亿 ,  朱家宏 ,  张博钦 ,  梁顺鑫 ,  廖峻宏 ,  郑宇婷 ,  黄鸿仪 ,  简瑞宏 ,  林斌彦 ,  王菘豊

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置，包括位于基板上的导电结构，所述导电结构具有：顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁；以及位于导电结构之上的阻挡层，所述阻挡层包括：沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利