公开(公告)号：CN106711044A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610980640.2

申请日：2016-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨凱傑

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/42372

Abstract: 一种切割金属栅极的方法，包括在基板上形成第一鳍及第二鳍，在第一及第二栅极区域上形成第一金属栅极接线，应用第一线切割以将第一金属栅极接线分离为第一子金属栅极接线及第二子金属栅极接线及在第一子金属栅极接线及第二子金属栅极接线上形成第二金属栅极接线，应用第二线切割以将第二金属栅极接线分离为第三子金属栅极接线及第四子金属栅极接线以使得在第三子金属栅极接线与第四子金属栅极接线之间形成缝隙及在缝隙内形成隔离区域。

公开(公告)号：CN110504319A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810794975.4

申请日：2018-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  杨凱傑 ,  蔡庆威 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本揭示内容的各方面提供了一种半导体装置，例如鳍式场效晶体管(FinFET)，其结合了在鳍片的通道区域的顶部的鳍片顶部硬罩。由于鳍片顶部硬罩的存在，鳍式场效晶体管的栅极高度可以减低，而不影响鳍片的侧壁上的垂直栅极通道的适当操作。因此，鳍式场效晶体管中，介于栅极堆叠和源极/漏极接触的寄生电容可经由降低鳍式场效晶体管的栅极高度而减小。

公开(公告)号：CN106711045A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610993412.9

申请日：2016-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  王志豪 ,  杨凱傑 ,  洪士庭 ,  吴伟豪 ,  吴琬瑶 ,  傅依婷 ,  苏嘉伟 ,  萧怡瑄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/42372

Abstract: 一种切割金属栅极的方法，此方法包括在基板上形成第一鳍与第二鳍。此第一鳍具有第一栅极区域且此第二鳍具有第二栅极区域。此方法亦包括在此第一及第二栅极区域上形成金属栅极接线。此金属栅极接线从第一鳍延伸至第二鳍。此方法亦包括施加线切割以将金属栅极接线分为第一子金属栅极接线及第二子金属栅极接线，并且在线切割中形成隔离区域。