公开(公告)号：CN113363160A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110380558.7

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  刘浩君 ,  蔡柏豪 ,  林志贤 ,  萧景文

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112447648A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010868009.X

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱强瑞 ,  萧景文 ,  刘浩君 ,  郑明达 ,  吴永华 ,  张道生

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/603

Abstract: 提供了电装置、半导体封装及其形成方法。本发明实施例的一种电装置包括衬底、导电接垫、导电柱以及焊料区。所述衬底具有表面。所述导电接垫设置在所述衬底的所述表面上。所述导电柱设置在所述导电接垫上并电连接到所述导电接垫，其中所述导电柱的顶表面相对于所述衬底的所述表面倾斜。所述焊料区设置在所述导电柱的所述顶表面上。

公开(公告)号：CN103594443B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310076571.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 查名鸿 ,  庄其达 ,  庄曜群 ,  刘浩君 ,  江宗宪 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请描述的实施例在封装结构的边缘附近提供了伸长的接合结构，使得铜柱的基本上朝向封装结构的中心的一侧免于焊料润湿。焊料润湿发生在这些接合结构的铜柱的另一侧。伸长的接合结构以不同的排列布置并且降低了相邻接合结构之间间隔缩短的可能性。此外，伸长的接合结构改善了可靠性性能。本发明还公开了用于封装件和衬底的接合结构。

公开(公告)号：CN103456704B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310199124.2

申请日：2013-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜群 ,  庄其达 ,  刘浩君 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种用于防止钝化层中的裂纹的系统和方法。在一实施例中，接触焊盘具有第一直径并且穿过钝化层的开口具有第二直径，其中第一直径比第二直径大第一距离，该第一距离为约10μm。在另一实施例中，形成穿过开口的凸块下金属化层，该凸块下金属化层具有第三直径，第三直径比第一直径大第二距离，该第二距离为约5μm。在又一实施例中，第一距离和第二距离之和大于约15μm。本发明公开了连接件位点间隔的设计方案及得到的结构。

公开(公告)号：CN103137585B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210190255.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  黄昶嘉 ,  刘浩君

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外，铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质界面处分层的风险。

公开(公告)号：CN110957279B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910909760.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  萧景文 ,  许国经 ,  李明机

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：管芯结构，包括多个管芯区和多个第一密封环。多个第一密封环中的每一个围绕多个管芯区的相应管芯区。半导体器件还包括围绕多个第一密封环的第二密封环以及接合到管芯结构的多个连接件。多个连接件中的每一个具有细长的平面图形状。多个连接件中的每一个的细长平面图形状的长轴朝向管芯结构的中心定向。

公开(公告)号：CN110957279A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910909760.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  萧景文 ,  许国经 ,  李明机

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：管芯结构，包括多个管芯区和多个第一密封环。多个第一密封环中的每一个围绕多个管芯区的相应管芯区。半导体器件还包括围绕多个第一密封环的第二密封环以及接合到管芯结构的多个连接件。多个连接件中的每一个具有细长的平面图形状。多个连接件中的每一个的细长平面图形状的长轴朝向管芯结构的中心定向。

公开(公告)号：CN103681587B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310004946.0

申请日：2013-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜群 ,  徐语晨 ,  刘浩君 ,  庄其达 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 应力降低装置。一种结构包括：在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。

公开(公告)号：CN103855115A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310163365.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  庄其达 ,  庄曜群 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4821 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13601 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/112 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种衬底焊盘结构，包括：第一焊盘，突出到封装衬底的顶面的上方，第一焊盘具有第一细长形状；第二焊盘，嵌入封装衬底，第二焊盘具有第二细长形状；以及通孔，连接在第一焊盘和第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN103681587A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310004946.0

申请日：2013-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜群 ,  徐语晨 ,  刘浩君 ,  庄其达 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 应力降低装置。一种结构包括：在第一半导体管芯的顶面上形成的多个连接件；在第一半导体管芯上形成并且通过多个连接件连接到第一半导体管芯的第二半导体管芯；以及在第一半导体管芯的边缘和多个连接件之间形成的第一伪导电平面，其中第一伪导电平面的边缘和第一距中性点距离(DNP)方向形成第一角度，其中第一角度小于或者等于45度。