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公开(公告)号：CN118016490A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410360086.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于电子发射技术领域，公开了一种背反式单色化X射线源装置及其使用方法，背反式单色化X射线源装置包括：电子枪、灯丝系统、分区阳极靶材、冷却系统、单色器系统；电子枪和单色器系统设置在装置外部，分区阳极靶材设置在装置内部，分区阳极靶材外侧设置有冷却系统，冷却系统外部环绕设置灯丝系统。本发明可实现X射线的单色化长距离聚发散照射和单色化微区照射，可在真空系统中快速更换X射线，大幅缩短检测时间，提升检测效率。
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公开(公告)号：CN117587380A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311544565.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种使用分子层沉积制备晶圆级铝基‑烯二醇干式光刻胶的方法，使用铝源和烯二醇作为前驱体，进行分子层沉积，沉积后得到铝基‑烯二醇干式光刻胶，分子层沉积的具体步骤为：将铝源保持在室温，并将装有烯二醇的源瓶加热至60‑120℃，反应器的温度保持在80‑150℃，并使用20sccm的干燥氮气对反应进行吹扫，每个循环反应由两个半循环组成：(1)通入50毫秒铝源，氮气吹扫16秒；(2)通入150毫秒烯二醇，氮气吹扫25秒，体系压强在13pa，沉积厚度根据沉积的循环次数控制。本发明光刻胶厚度的控制可以精确到埃 级，且具其有超好的抗刻蚀性能，与硅的选择刻蚀比在80以上及良好的分辨率。
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公开(公告)号：CN117385456A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311205343.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CVD的新型低功耗MnTe‑Cr1‑xTe异质结的制备方法，属于二维反铁磁‑铁磁材料领域。该新型低功耗MnTe‑Cr1‑xTe异质结的制备方法是以Te块和CrCl3、MnCl2粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述MnTe‑Cr1‑xTe异质结。该异质结制备方法，简单可控，经济快捷，所得异质结不仅厚度可控、晶体质量好，而且可以减小铁磁材料Cr1‑xTe的矫顽力，降低损耗，因此在自旋电子学领域具有重要研究价值。
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公开(公告)号：CN119993923A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510142652.7
申请日：2025-02-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构，包括从上至下的封装层及基板，若干芯片贴装于基板上，封装层将芯片塑封；封装层包括第一封装层和第二封装层，第二封装层为加强封装层，其厚度小于第一封装层，其在第一封装层的上面进行第二次塑封。本发明还公开了一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构的加工方法。本发明在保证对芯片厚度、散热不产生较大影响的条件下，通过纳米压印手段在平整的EMC层上添加一小层网格状EMC层，在只增加少量封装厚度的条件下，显著提高封装强度，降低翘曲率。
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公开(公告)号：CN118880285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410941055.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/06 , G03F7/16
Abstract: 一种使用分子层沉积制备晶圆级干式光刻胶的方法，使用铝、铪、锡等金属源和二醇、三醇类有机物作为前驱体，进行分子层沉积，沉积后得到干式光刻胶，分子层沉积的具体步骤为：将金属源加热至其蒸发温度，并将装有有机源的源瓶加热至蒸发温度，反应器的温度保持在80‑150℃，并使用20sccm的干燥氮气对反应进行吹扫，每个循环反应由两个半循环组成：(1)通入金属源，氮气吹扫；(2)通入有机源，氮气吹扫，沉积厚度根据沉积的循环次数控制。本发明光刻胶厚度的控制可以精确到埃#imgabs0#级，且这类光刻胶普遍具有极佳的表面粗糙度和超高的分辨率，同时也具有良好的抗刻蚀性能，例如铝基和铪基与硅的选择刻蚀比均能在30以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118007101A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410004481.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种HZO铁电材料的制备方法，在基底上生长底电极，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，沉积完毕得非晶HZO薄膜，对HZO进行快速热退火，即得铁电薄膜，在退火过程中不需要顶电极辅助，即可获得鲁棒的铁电性。此外，通过在氧气下退火，将循环耐久性提高到了超1010个循环。通过优化HZO的生长工艺、退火工艺以及后续的电极层叠加方式，成功地提高了HZO的铁电极化和耐久性。该方法主要涉及到缺陷调控和界面工程技术，以改善HZO存在的缺陷，提高界面质量，从而降低漏电流和提高疲劳寿命。通过本方法，HZO薄膜展现出高达29μC/cm2的剩余极化强度与超过3×1010的循环性，提升了HZO的铁电性能，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN115763311B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211474117.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了面向集成电路先进制程中晶圆处理的超临界干燥/清洗设备，其特征在于，该设备包括外腔体、外腔体顶盖、内胆、内胆提拉装置、手套箱、烘箱、地线；所述外腔体与外腔体顶盖使用机械密封，如螺丝、机械锁扣等；所述内胆在外腔体内部，承载待处理的晶圆；所述内胆提拉装置顶部设有牵引环；所述手套箱包含烘箱；所述内胆提拉装置、外腔体、手套箱都通过地线接地。本发明利用超临界流体几乎为零的表面张力、极强的溶剂化能力和类似气体的扩散性，可以在集成电路加工制造过程中实现对湿法清洗残留物的干燥/清洗，克服流体的表面张力对器件或芯片的破坏等问题。
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公开(公告)号：CN115747768A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211446425.6
申请日：2022-11-18
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供了一种原子层、分子层沉积设备及沉积方法。本发明的原子层、分子层沉积设备，沉积腔体外壁面对应样品台处设有第一加热部件，沉积腔体外壁面位于样品台之外的位置设有至少一个第二加热部件，即沉积腔体采用多温区加热方式，第一加热部件对应的加热温度为待沉积样品薄膜生长的温度，而第二加热部件对应的加热温度则低于待沉积样品薄膜生长的温度，采用多温区加热方式，降低了设备对于密封胶圈的耐温需求；多个前驱体源瓶通过一转多转接件与第一管道另一端连通，前驱体源瓶之间为并联方式，由于每个前驱体源瓶均连通有载气管路，因此，每一个前驱体都会进行载气负载，避免了前驱体源之间的交叉污染。
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公开(公告)号：CN112458428B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011348432.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。
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公开(公告)号：CN112458428A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011348432.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。
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