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公开(公告)号：CN118007101B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410004481.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种HZO铁电材料的制备方法，在基底上生长底电极，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，沉积完毕得非晶HZO薄膜，对HZO进行快速热退火，即得铁电薄膜，在退火过程中不需要顶电极辅助，即可获得鲁棒的铁电性。此外，通过在氧气下退火，将循环耐久性提高到了超1010个循环。通过优化HZO的生长工艺、退火工艺以及后续的电极层叠加方式，成功地提高了HZO的铁电极化和耐久性。该方法主要涉及到缺陷调控和界面工程技术，以改善HZO存在的缺陷，提高界面质量，从而降低漏电流和提高疲劳寿命。通过本方法，HZO薄膜展现出高达29μC/cm2的剩余极化强度与超过3×1010的循环性，提升了HZO的铁电性能，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN118007101A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410004481.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种HZO铁电材料的制备方法，在基底上生长底电极，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，沉积完毕得非晶HZO薄膜，对HZO进行快速热退火，即得铁电薄膜，在退火过程中不需要顶电极辅助，即可获得鲁棒的铁电性。此外，通过在氧气下退火，将循环耐久性提高到了超1010个循环。通过优化HZO的生长工艺、退火工艺以及后续的电极层叠加方式，成功地提高了HZO的铁电极化和耐久性。该方法主要涉及到缺陷调控和界面工程技术，以改善HZO存在的缺陷，提高界面质量，从而降低漏电流和提高疲劳寿命。通过本方法，HZO薄膜展现出高达29μC/cm2的剩余极化强度与超过3×1010的循环性，提升了HZO的铁电性能，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN117737668A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311570252.3
申请日：2023-11-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法，属于新材料技术领域，包括以下步骤：1)采用直流磁控溅射技术在Si/SiO2衬底上沉积钽Ta作为种子层的步骤；2)在步骤1)的基础上，采用直流磁控溅射技术在Ta上沉积铂Pt作为重金属层的步骤；3)在步骤2)的基础上，采用磁性过渡金属或合金TM和稀土金属RE直流共溅射的方法在多层膜上制备TM‑RE亚铁磁合金的步骤；4)在步骤3)的基础上，采用直流磁控溅射技术在多层膜上沉积Ta作为覆盖层的步骤，最终得到亚铁磁多层膜。5)利用镓离子辐照改变亚铁磁多层膜的磁各向异性，构筑手性耦合磁结构。本发明利用该手性耦合可构筑基于亚铁磁的赛道存储器，有望在新型计算方面展现出比传统的铁磁系统更低功耗的应用潜力。
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