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公开(公告)号：CN117288796A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241648.3
申请日：2023-09-25
Applicant: 南开大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明属于表面分析仪器技术领域，公开了一种线形高通量分析量测仪器、方法，配备有线状射线源，样品台系统，曲面型能量分析器，线状电子收集器，数据采集系统，实时监测装置、快速进样室、传输装置、超高真空和高真空系统、加热装置、及预留法兰接口。本发明通过线形分析器与射线源组合构型实现线形高通量检测，通过与线状电子源组合，可实现线性俄歇能谱的表征；通过与线状离子源组合，可实现低能离子散射谱的表征；通过线状射线源，曲面型能量分析器及线状电子收集器组合，可实现晶圆的线性XPS等表面分析。本发明与传统XPS等表面表征相比，可大幅缩短晶圆的检测时间，提升检测效率。
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公开(公告)号：CN118880285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410941055.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/06 , G03F7/16
Abstract: 一种使用分子层沉积制备晶圆级干式光刻胶的方法，使用铝、铪、锡等金属源和二醇、三醇类有机物作为前驱体，进行分子层沉积，沉积后得到干式光刻胶，分子层沉积的具体步骤为：将金属源加热至其蒸发温度，并将装有有机源的源瓶加热至蒸发温度，反应器的温度保持在80‑150℃，并使用20sccm的干燥氮气对反应进行吹扫，每个循环反应由两个半循环组成：(1)通入金属源，氮气吹扫；(2)通入有机源，氮气吹扫，沉积厚度根据沉积的循环次数控制。本发明光刻胶厚度的控制可以精确到埃#imgabs0#级，且这类光刻胶普遍具有极佳的表面粗糙度和超高的分辨率，同时也具有良好的抗刻蚀性能，例如铝基和铪基与硅的选择刻蚀比均能在30以上。
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公开(公告)号：CN118186370A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410182490.5
申请日：2024-02-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54
Abstract: 一种连续型ALD/CVD装置，涉及薄膜沉积技术领域。包括前驱体源、ALD阀门、抽空气路、载气气路、样品，前驱体气路连接前驱体源，前驱体气路上设有ALD阀门，抽空气路位于前驱体气路两侧，用于接通真空泵抽走残留前驱体和反应副产物，载气气路在最外侧，用于接通惰性气体，前驱体源的出气口与晶圆片相对，晶圆片由传送带进行传送，通过设有或不设有载气气路形成ALD脉冲模块或CVD脉冲模块。与现有的空间原子层沉积技术相比更加节省前驱体和时间，能大大提高生产效率和降低成本。本发明具有更多的工作模式，能够更好地满足生产需求，更加灵活的调节生产工艺。
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公开(公告)号：CN119008361A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410926521.3
申请日：2024-07-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01J35/10
Abstract: 一种高亮度X射线源阳极靶材，包括耐高温保护层、激发层、散热层、高导热层，其中激发层嵌在散热层设有的凹槽之中，或将激发层成矩阵嵌在散热层设有的凹槽中。凹槽下面接触高导热层，耐高温保护层覆盖在整个靶材表面，电子束打到整个靶材上激发出X射线。本发明靶材散热性能极好，能够承受大功率的电子束照射，从而激发大量X射线，并且该专利能够明显改善普通阳极靶材由于升华导致的寿命短和破坏真空度问题。
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公开(公告)号：CN118016490A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410360086.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于电子发射技术领域，公开了一种背反式单色化X射线源装置及其使用方法，背反式单色化X射线源装置包括：电子枪、灯丝系统、分区阳极靶材、冷却系统、单色器系统；电子枪和单色器系统设置在装置外部，分区阳极靶材设置在装置内部，分区阳极靶材外侧设置有冷却系统，冷却系统外部环绕设置灯丝系统。本发明可实现X射线的单色化长距离聚发散照射和单色化微区照射，可在真空系统中快速更换X射线，大幅缩短检测时间，提升检测效率。
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